一种抗总剂量CMOS电路基本结构研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 总剂量效应国内外研究历史 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要贡献和创新 | 第13页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 总剂量效应基本理论 | 第15-26页 |
| 2.1 辐射环境和辐射效应 | 第15-17页 |
| 2.1.1 辐射环境 | 第15-16页 |
| 2.1.2 辐射效应 | 第16-17页 |
| 2.2 总剂量辐照过程及机理 | 第17-20页 |
| 2.3 总剂量效应对MOS器件的影响 | 第20-24页 |
| 2.3.1 阈值电压漂移 | 第21-22页 |
| 2.3.2 泄漏电流增加 | 第22-23页 |
| 2.3.3 迁移率降低 | 第23-24页 |
| 2.4 总剂量加固措施 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基本结构抗总剂量仿真 | 第26-42页 |
| 3.1 器件仿真建模 | 第26-28页 |
| 3.1.1 器件仿真流程 | 第26-28页 |
| 3.1.2 器件仿真模型 | 第28页 |
| 3.2 一种抗总剂量晶体管结构 | 第28-41页 |
| 3.2.1 Ⅰ型NMOS晶体管基本原理 | 第28-30页 |
| 3.2.2 Ⅰ型NMOS晶体管抗总剂量能力验证 | 第30-35页 |
| 3.2.3 Ⅱ型NMOS晶体管 | 第35-38页 |
| 3.2.4 性能退化趋势比较 | 第38-40页 |
| 3.2.5 输出特性曲线对比 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 晶体管结构特性的影响 | 第42-63页 |
| 4.1 P+掺杂区连接的影响 | 第42-45页 |
| 4.2 P+掺杂区浓度的影响 | 第45-49页 |
| 4.3 P+掺杂区宽度的影响 | 第49-53页 |
| 4.4 P+掺杂区结深的影响 | 第53-57页 |
| 4.5 P+掺杂区与N+源漏区间距的影响 | 第57-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 与传统版图加固措施的对比 | 第63-81页 |
| 5.1 抗总剂量能力对比 | 第63-73页 |
| 5.1.1 Ⅰ型NMOS晶体管与H形栅的对比 | 第63-67页 |
| 5.1.2 Ⅱ型NMOS晶体管与半环栅的对比 | 第67-71页 |
| 5.1.3 综合对比 | 第71-73页 |
| 5.2 版图面积消耗对比 | 第73-79页 |
| 5.3 本章小结 | 第79-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 6.1 全文总结 | 第81-82页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第88-89页 |
