| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·3D 封装/集成技术 | 第9-11页 |
| ·电子封装的发展历程 | 第9-10页 |
| ·3D 封装的发展 | 第10-11页 |
| ·TSV 简介 | 第11-16页 |
| ·TSV 结构构成 | 第12-13页 |
| ·TSV 的工艺流程 | 第13-14页 |
| ·TSV 制作工艺介绍 | 第14-16页 |
| ·TSV 的研究现状 | 第16-17页 |
| ·TSV 面临的问题 | 第16页 |
| ·TSV 研究现状 | 第16-17页 |
| ·论文主要工作 | 第17-19页 |
| 第2章 TSV 界面的力学模型 | 第19-25页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·界面应力 | 第19-21页 |
| ·界面的定义 | 第19页 |
| ·界面的力学模型 | 第19-20页 |
| ·界面的分类 | 第20-21页 |
| ·TSV 界面失效模式 | 第21-23页 |
| ·完全粘结界面模型 | 第22页 |
| ·滑移界面模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 完全粘结界面模型下 TSV 界面应力分析 | 第25-41页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·模型的简化与参数定义 | 第25-28页 |
| ·TSV 转接板封装的模型 | 第25-26页 |
| ·有限元模型的简化 | 第26-27页 |
| ·粗糙度因子的定义 | 第27-28页 |
| ·完全粘结界面下的 TSV 有限元模型及界面应力分析 | 第28-39页 |
| ·模型受热载后应力云图 | 第28-29页 |
| ·不同 Ta 层厚度对界面应力的影响 | 第29-32页 |
| ·不同通孔直径对界面应力的影响 | 第32-34页 |
| ·不同 h 对界面应力的影响 | 第34-36页 |
| ·不同λ对界面应力的影响 | 第36-38页 |
| ·h 与λ对 Cu/Ta、Ta/SiO_2界面最大正应力的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 滑移界面模型下 TSV 通孔胀出量分析 | 第41-49页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·滑移模型本构方程 | 第41-46页 |
| ·本构方程 | 第41页 |
| ·ANSYS 中滑移模型定义方法 | 第41-43页 |
| ·ANSYS 中模型参数选择 | 第43-45页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第45-46页 |
| ·几何尺寸因子对铜的胀出量影响 | 第46-48页 |
| ·通孔直径对铜的胀出量影响 | 第46页 |
| ·Ta 层厚度对铜的胀出量影响 | 第46-47页 |
| ·λ对铜的胀出量影响 | 第47页 |
| ·h 对铜的胀出量影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |