铁电薄膜沉积技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·铁电体的分类和主要性质 | 第9-11页 |
| ·铁电体的分类 | 第9-10页 |
| ·铁电性体的性质 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·存储器 | 第12-13页 |
| ·微机电系统(MEMS) | 第13页 |
| ·电光应用 | 第13-14页 |
| ·MOCVD技术发展概况 | 第14-17页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 2 PZT铁电薄膜的结构特性研究 | 第19-26页 |
| ·PZT晶体结构及组分 | 第19-20页 |
| ·PZT薄膜的衬底及铅过量的研究 | 第20-21页 |
| ·PZT薄膜制备技术研究 | 第21-26页 |
| 3 等离子体增强液态源MOCVD系统结构 | 第26-35页 |
| ·等离子体增强液态源MOCVD系统结构 | 第26-33页 |
| ·反应室 | 第26页 |
| ·真空系统 | 第26-27页 |
| ·液态源输运系统 | 第27-28页 |
| ·温度控制系统 | 第28-30页 |
| ·等离子体增强系统 | 第30-31页 |
| ·自动控制系统 | 第31-32页 |
| ·系统安全措施 | 第32-33页 |
| ·等离子体增强液态源MOCVD工作流程 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 MOCVD薄膜沉积试验 | 第35-43页 |
| ·MO先体的配制 | 第35-37页 |
| ·TiO_2先体溶液的配制 | 第36页 |
| ·PbTiO_3先体溶液的配制 | 第36-37页 |
| ·PZT先体溶液的配制 | 第37页 |
| ·TiO_2薄膜沉积试验 | 第37-40页 |
| ·光学特性测试 | 第37-39页 |
| ·XRD检测 | 第39-40页 |
| ·PZT薄膜沉积实验 | 第40-42页 |
| ·PZT薄膜沉积工艺参数的确定 | 第40-41页 |
| ·热处理 | 第41页 |
| ·XRD测试 | 第41-42页 |
| ·AFM测试 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 红外热释电探测阵列微结构的制备 | 第43-50页 |
| ·热释电探测器工作机理 | 第43-44页 |
| ·热释电探测器敏感单元的制备 | 第44-49页 |
| ·敏感单元的结构设计 | 第44-45页 |
| ·敏感单元的制备工艺 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 6 结论 | 第50-53页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
