应用于射频集成电路的新型交变结构平面螺旋电感研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·集成电路的发展 | 第8-10页 |
| ·集成电路的发展 | 第8-9页 |
| ·平面螺旋电感在射频电路中的重要性 | 第9-10页 |
| ·平面螺旋电感在射频前端的应用 | 第10-12页 |
| ·低噪声放大器中的应用 | 第10-11页 |
| ·压控振荡器中的应用 | 第11-12页 |
| ·射频滤波器中的应用 | 第12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 电感的相关知识 | 第15-35页 |
| ·电感的电磁理论 | 第15-22页 |
| ·麦克斯韦方程组 | 第15-17页 |
| ·电感类元件的基本定义 | 第17-20页 |
| ·自感 | 第18-19页 |
| ·互感 | 第19-20页 |
| ·品质因数 | 第20-21页 |
| ·谐振频率 | 第21-22页 |
| ·电感的损耗机制 | 第22-23页 |
| ·金属导体损耗 | 第22-23页 |
| ·衬底损耗 | 第23页 |
| ·电感的两种效应 | 第23-25页 |
| ·趋肤效应 | 第23-24页 |
| ·邻近效应 | 第24-25页 |
| ·电感值的算法 | 第25-27页 |
| ·Grover算法 | 第25-26页 |
| ·Greenhouse算法 | 第26-27页 |
| ·平面螺旋电感的等效电路模型 | 第27-31页 |
| ·单π模型 | 第27-30页 |
| ·双π模型 | 第30-31页 |
| ·片上电感的种类 | 第31-35页 |
| ·基于CMOS的片上螺旋电感 | 第32-33页 |
| ·基于MEMS的片上螺旋电感 | 第33-35页 |
| 第三章 影响平面螺旋电感性能因素的仿真分析 | 第35-49页 |
| ·Ansoft HFSS软件介绍 | 第35-37页 |
| ·结构参数对电感性能的影响 | 第37-41页 |
| ·圈数的影响 | 第37-38页 |
| ·线宽间距的影响 | 第38-39页 |
| ·外径的影响 | 第39-41页 |
| ·工艺参数对电感性能的影响 | 第41-46页 |
| ·金属材料的影响 | 第41-42页 |
| ·衬底电导率的影响 | 第42-43页 |
| ·介质层厚度的影响 | 第43-45页 |
| ·介质层材料的影响 | 第45-46页 |
| ·设计原则 | 第46-48页 |
| ·从结构参数角度考虑 | 第46-47页 |
| ·从工艺参数角度考虑 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 新型交变结构平面螺旋电感 | 第49-62页 |
| ·渐变结构平面螺旋电感的发展状况 | 第49-51页 |
| ·线宽渐变结构电感 | 第49页 |
| ·线宽间距渐变结构电感 | 第49-50页 |
| ·渐变结构对称电感 | 第50-51页 |
| ·线宽间距和不变而比值减小的电感 | 第51页 |
| ·新型交变结构平面螺旋电感 | 第51-53页 |
| ·新型电感的仿真分析 | 第53-59页 |
| ·新型电感性能参数仿真 | 第53-56页 |
| ·与传统电感及现有渐变结构的性能对比 | 第56-59页 |
| ·新型电感近场增益图仿真 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 硅基平面螺旋电感的工艺及测试原理 | 第62-69页 |
| ·CMOS工艺简介 | 第62-66页 |
| ·CMOS工艺概况 | 第62-63页 |
| ·CMOS工艺流程 | 第63-64页 |
| ·本文电感制作工艺 | 第64-66页 |
| ·平面螺旋电感的测试方法 | 第66-68页 |
| ·螺旋电感的高频测试原理 | 第66-67页 |
| ·螺旋电感参数的提取 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结及展望 | 第69-72页 |
| ·本文总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 读研期间研究成果和参加科研情况 | 第77-78页 |
