| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| §1-1 集成电路技术的发展及展望 | 第7页 |
| §1-2 VLSI中的多层布线工艺及化学机械抛光技术 | 第7-10页 |
| 1-2-1 VLSI中的多层布线工艺 | 第7-9页 |
| 1-2-2 化学机械抛光技术发展及展望 | 第9-10页 |
| §1-3 本课题的工作任务 | 第10-11页 |
| 第二章 金属全局平面化及铝布线及铝插塞的制作 | 第11-20页 |
| §2-1 平面化的要求 | 第11-12页 |
| §2-2 平坦化原理 | 第12-15页 |
| §2-3 几种平坦化技术 | 第15-16页 |
| §2-4 铝布线及铝插塞的制作 | 第16-20页 |
| 第三章 铝CMP模型及相关机理 | 第20-29页 |
| §3-1 CMP技术概述 | 第20页 |
| §3-2 铝的CMP模型 | 第20-23页 |
| 3-2-1 液流层模型 | 第20-21页 |
| 3-2-2 Preston方程 | 第21-22页 |
| 3-2-3 对Preston方程系数的解释 | 第22页 |
| 3-2-4 机械作用对抛光速率的影响 | 第22-23页 |
| §3-3 铝的化学机械抛光机理的研究 | 第23-27页 |
| 3-3-1 铝CMP的主要技术指标 | 第23-26页 |
| 3-3-2 铝CMP过程的影响因素 | 第26-27页 |
| §3-4 本课题的机理理论模型 | 第27-29页 |
| 第四章 铝CMP碱性抛光液的研究 | 第29-39页 |
| §4-1 碱性抛光液定位 | 第29-30页 |
| §4-2 碱性抛光液中磨料的选择 | 第30-32页 |
| §4-3 氧化剂的选择 | 第32-33页 |
| §4-4 表面活性剂的选择 | 第33-35页 |
| 4-4-1 表面活性剂简介 | 第33页 |
| 4-4-2 活性剂在CMP中的作用 | 第33-35页 |
| §4-5 PH值调节剂的选择 | 第35-36页 |
| §4-6 其他附加试剂 | 第36-39页 |
| 第五章 抛光试验 | 第39-48页 |
| §5-1 氧化剂含量的确定实验 | 第39-42页 |
| §5-2 浆料PH值的确定实验 | 第42-48页 |
| 第六章 结论及创新性成果 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第53页 |