射频SOI-LDMOS器件设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·SOI技术发展概述 | 第7-9页 |
| ·SOI功率器件研究现状 | 第9-14页 |
| ·SOI-LDMOS的耐压结构 | 第9-13页 |
| ·SOI-LDMOS的频率特性 | 第13-14页 |
| ·SOI-LDMOS的输出特性 | 第14页 |
| ·本论文的研究工作 | 第14-17页 |
| 第二章 SOI-LDMOS参数设计 | 第17-29页 |
| ·器件参数模型 | 第17-21页 |
| ·沟道区的设计 | 第17-18页 |
| ·埋氧层厚度设计 | 第18页 |
| ·漂移区基本参数设计 | 第18-20页 |
| ·场板参数设计 | 第20页 |
| ·计算结果 | 第20-21页 |
| ·器件参数优化 | 第21-27页 |
| ·漂移区浓度优化 | 第21-23页 |
| ·沟道浓度优化 | 第23-25页 |
| ·SOI层厚度优化 | 第25-26页 |
| ·埋氧层厚度优化 | 第26-27页 |
| ·最终参数确定 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 器件特性研究 | 第29-39页 |
| ·直流输出特性 | 第29-33页 |
| ·亚阈值特性 | 第29-30页 |
| ·I-V特性 | 第30-31页 |
| ·跨导特性 | 第31-33页 |
| ·电容特性 | 第33-36页 |
| ·等效模型 | 第33-34页 |
| ·模拟结果 | 第34-36页 |
| ·射频特性 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 DBPSOI-LDMOS结构研究 | 第39-43页 |
| ·器件结构 | 第39-41页 |
| ·DBPSOI-LDMOS器件特性分析与比较 | 第41-42页 |
| ·击穿特性 | 第41页 |
| ·电容特性 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 器件失效机理分析 | 第43-53页 |
| ·Kirk效应 | 第43-44页 |
| ·浮体效应 | 第44-47页 |
| ·浮体效应对SOI器件的影响 | 第45-46页 |
| ·克服浮体效应的措施 | 第46-47页 |
| ·设计中采取的措施 | 第47页 |
| ·自加热效应 | 第47-51页 |
| ·不同结构和工艺参数下的自加热效应研究 | 第47-50页 |
| ·自加热效应的抑制 | 第50-51页 |
| ·热载流子效应 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 研究成果 | 第60-61页 |
