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600V高压LDMOS器件热载流子退化机理及寿命模型研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 高压LDMOS器件的应用第9-12页
    1.2 600V高压LDMOS器件的热载流子可靠性问题第12页
    1.3 600V高压LDMOS器件的热载流子可靠性研究现状第12-15页
    1.4 本文的研究目标及主要章节安排第15-17页
第二章 600V高压LDMOS基本特性及热载流子退化研究方法第17-27页
    2.1 600V高压LDMOS的基本结构与工艺第17页
    2.2 600V高压LDMOS的基本性能参数第17-20页
    2.3 热载流子效应研究的主要技术手段第20-25页
    2.4 本章小结第25-27页
第三章 600V高压LDMOS热载流子退化机理研究第27-55页
    3.1 600V高压LDMOS在直流应力下的热载流子退化机理研究第27-31页
    3.2 600V高压LDMOS在交流应力下的热载流子退化机理研究第31-35页
    3.3 不同栅脉冲上升下降时间对HCI特性的影响第35-36页
    3.4 不同栅脉冲占空比对HCI特性的影响第36-37页
    3.5 不同栅脉冲频率对HCI特性的影响第37-39页
    3.6 不同结构参数下对器件HCI特性的影响第39-46页
    3.7 不同温度下的热载流子退化机理第46-48页
    3.8 高热载流子可靠性600V高压LDMOS器件优化设计第48-54页
    3.9 本章小结第54-55页
第四章 600V高压LDMOS器件的热载流子退化寿命模型研究第55-63页
    4.1 600V高压LDMOS的热载流子退化寿命建模第55-57页
    4.2 600V高压LDMOS寿命模型参数的提取第57-60页
    4.3 600V高压LDMOS寿命模型的验证第60-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第五章 总结与展望第63-65页
    5.1 总结第63-64页
    5.2 展望第64-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-71页
硕士期间取得成果第71页

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