二维硒化锗材料的制备与光电性能表征
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 过渡金属化合物的研究 | 第10-13页 |
| 1.2.1 过渡金属化合物的物理性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2 过渡金属化合物的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 硒化锗晶体的研究 | 第13-16页 |
| 1.3.1 硒化锗的结构和电子性质 | 第13-14页 |
| 1.3.2 硒化锗的实验研究 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 二维硒化锗材料的制备与表征 | 第18-30页 |
| 2.1 实验材料的制备 | 第18-19页 |
| 2.2 实验表征技术 | 第19-30页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第19-21页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第21-23页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.4 光致发光光谱 | 第24-30页 |
| 第3章 热处理对二维硒化锗材料的影响 | 第30-36页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 样品准备与热处理 | 第30-33页 |
| 3.3 结果分析 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 基于硒化锗材料的光电器件研究 | 第36-42页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验仪器与器件的制备 | 第36-40页 |
| 4.2.1 样品准备与测量 | 第36-37页 |
| 4.2.2 匀胶与烘干 | 第37-38页 |
| 4.2.3 激光直写与显影 | 第38页 |
| 4.2.4 金属蒸镀与剥离 | 第38-40页 |
| 4.3 器件光电性能测试 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42页 |
| 5.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第52页 |
