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二维硒化锗材料的制备与光电性能表征

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第1章 绪论第8-18页
    1.1 研究背景第8-10页
    1.2 过渡金属化合物的研究第10-13页
        1.2.1 过渡金属化合物的物理性质第10-12页
        1.2.2 过渡金属化合物的应用第12-13页
    1.3 硒化锗晶体的研究第13-16页
        1.3.1 硒化锗的结构和电子性质第13-14页
        1.3.2 硒化锗的实验研究第14-16页
    1.4 本文的主要研究内容第16-18页
第2章 二维硒化锗材料的制备与表征第18-30页
    2.1 实验材料的制备第18-19页
    2.2 实验表征技术第19-30页
        2.2.1 原子力显微镜第19-21页
        2.2.2 拉曼光谱第21-23页
        2.2.3 扫描电子显微镜第23-24页
        2.2.4 光致发光光谱第24-30页
第3章 热处理对二维硒化锗材料的影响第30-36页
    3.1 引言第30页
    3.2 样品准备与热处理第30-33页
    3.3 结果分析第33-34页
    3.4 本章小结第34-36页
第4章 基于硒化锗材料的光电器件研究第36-42页
    4.1 引言第36页
    4.2 实验仪器与器件的制备第36-40页
        4.2.1 样品准备与测量第36-37页
        4.2.2 匀胶与烘干第37-38页
        4.2.3 激光直写与显影第38页
        4.2.4 金属蒸镀与剥离第38-40页
    4.3 器件光电性能测试第40-41页
    4.4 本章小结第41-42页
第5章 总结与展望第42-44页
    5.1 总结第42页
    5.2 展望第42-44页
参考文献第44-51页
致谢第51-52页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第52页

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