| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 FinFET器件的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的结构和内容 | 第13-14页 |
| 第2章 FinFET器件及模型概述 | 第14-24页 |
| 2.1 MOSFET结构及其工作机理 | 第14-15页 |
| 2.2 FinFET器件的基本介绍 | 第15-21页 |
| 2.2.1 多栅器件的结构介绍 | 第16-17页 |
| 2.2.2 多栅器件的优势 | 第17-20页 |
| 2.2.3 FinFET器件的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 BSIM-MG模型介绍 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 表面势方程和BSIM-CMG建模 | 第24-33页 |
| 3.1 表面势方程的推导 | 第24-25页 |
| 3.2 基于BSIM-CMG的建模 | 第25-32页 |
| 3.2.1 表面势计算 | 第26-27页 |
| 3.2.2 漏极电流模型 | 第27-28页 |
| 3.2.3 C-V模型 | 第28-29页 |
| 3.2.4 自热模型 | 第29页 |
| 3.2.5 噪声模型 | 第29-31页 |
| 3.2.6 阈值电压模型 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 基于BSIM-CMG的FinFET模型参数提取 | 第33-51页 |
| 4.1 测试环境与测试方案 | 第33-35页 |
| 4.1.1 器件测试环境 | 第33页 |
| 4.1.2 器件尺寸选取 | 第33-34页 |
| 4.1.3 器件测试方案 | 第34-35页 |
| 4.2 去嵌(de-embedding) | 第35-36页 |
| 4.3 直流特性参数提取 | 第36-44页 |
| 4.3.1 参数提取步骤 | 第37-38页 |
| 4.3.2 线性区拟合 | 第38-41页 |
| 4.3.3 饱和区拟合 | 第41-42页 |
| 4.3.4 重要物理效应的参数提取 | 第42-43页 |
| 4.3.5 线性区过渡到饱和区的平滑参数提取 | 第43页 |
| 4.3.6 其他效应参数提取 | 第43-44页 |
| 4.4 RF寄生参数提取 | 第44-45页 |
| 4.5 模型验证 | 第45-50页 |
| 4.5.1 idvd的拟合情况 | 第45-46页 |
| 4.5.2 idvg的拟合情况 | 第46-47页 |
| 4.5.3 S参数的拟合情况 | 第47-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 FinFET变容管模型的建立与参数提取 | 第51-61页 |
| 5.1 MOS变容管模型研究现状 | 第51-52页 |
| 5.2 FinFET变容管的结构和模型参数提取 | 第52-57页 |
| 5.2.1 FinFET变容管的基本结构 | 第52-54页 |
| 5.2.2 FinFET变容管模型参数提取 | 第54-57页 |
| 5.3 FinFET变容管模型验证 | 第57-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 附录 | 第69页 |