| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 功率 MOSFET 在电源管理集成电路中的应用 | 第9-11页 |
| 1.1.1 功率 MOSFET 发展现状及趋势 | 第9页 |
| 1.1.2 NEXFET(第三代 MOSFET)介绍 | 第9-11页 |
| 1.2 POLYIMIDE 材料特性及发展应用 | 第11-13页 |
| 1.2.1 POLYIMIDE 材料特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 POLYIMIDE 发展应用 | 第12-13页 |
| 1.3 NEXFET 含 POLYIMIDE 工艺简单流程 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的选题及研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 NEXFET 钝化层 POLYIMIDE 基本工艺建立 | 第16-26页 |
| 2.1 POLYIMIDE（聚酰亚胺）的应用 | 第16页 |
| 2.2 钝化层 Polyimide 工艺 | 第16-25页 |
| 2.2.1 Polyimide 光刻胶的选择 | 第17-18页 |
| 2.2.2 表面处理 | 第18页 |
| 2.2.2.1 硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） | 第18页 |
| 2.2.2.2 涂底（Priming) | 第18页 |
| 2.2.3 旋转涂胶（Spin-on PR Coating） | 第18-20页 |
| 2.2.4 软烘（前烘）（Soft Baking） | 第20页 |
| 2.2.5 对准并曝光（Alignment and Exposure） | 第20-22页 |
| 2.2.6 后烘（PEB，Post Exposure Baking） | 第22-23页 |
| 2.2.7 显影（Development） | 第23-24页 |
| 2.2.8 硬烘（Hard Baking） | 第24-25页 |
| 2.2.9 固化（POLYIMIDE CURING） | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 POLYIMIDE 工艺优化 | 第26-51页 |
| 3.1 60μm POLYIMIDE 涂胶工艺优化 | 第26-34页 |
| 3.1.1 旋涂涂胶工艺简介 | 第26-28页 |
| 3.1.2 双次涂胶（Double Coating） | 第28-34页 |
| 3.2 POLYIMIDE 旋涂缺陷解决 | 第34-40页 |
| 3.2.1 工艺缺陷的检测方法 | 第34-37页 |
| 3.2.2 POLYIMIDE 旋涂气泡（bubble）缺陷解决 | 第37-40页 |
| 3.3 POLYIMIDE 版图设计缺陷解决 | 第40-43页 |
| 3.4 PAD 区域 POLYIMIDE 残留缺陷解决 | 第43-45页 |
| 3.5 POLYIMIDE 固化条件优化 | 第45-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 POLYIMIDE 返工（REWORK） | 第51-72页 |
| 4.1 光刻胶返工基本流程 | 第51页 |
| 4.2 干法去胶 | 第51-53页 |
| 4.3 湿法清洗 | 第53-57页 |
| 4.4 湿法去胶 | 第57-58页 |
| 4.5 铝刻蚀工艺以及铝腐蚀现象 | 第58-60页 |
| 4.6 POLYIMIDE 固化前标准返工制程 | 第60-62页 |
| 4.7 固化后 10μM POLYIMIDE 标准返工制程 | 第62-65页 |
| 4.8 固化后 30μM POLYIMIDE 特殊返工制程 | 第65-71页 |
| 4.9 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论和展望 | 第72-74页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第72-73页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
