| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 新型平面抛光技术简介 | 第12-15页 |
| 1.3 碘化铯晶体加工的现状 | 第15页 |
| 1.4 化学机械抛光技术的发展现状 | 第15-16页 |
| 1.5 碘化铯晶体的水解作用抛光技术的提出 | 第16页 |
| 1.6 论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 碘化铯晶体的物理特性 | 第18-24页 |
| 2.1 碘化铯晶体概述 | 第18-21页 |
| 2.1.1 碘化铯晶体的性质 | 第18-19页 |
| 2.1.2 碘化铯晶体的结构和应用领域 | 第19-20页 |
| 2.1.3 碘化铯晶体的发光性能和生长方法 | 第20-21页 |
| 2.2 水解现象简介 | 第21-22页 |
| 2.3 碘化铯晶体水解作用下的抛光材料去除机制 | 第22-23页 |
| 2.4 水解作用的控制技术 | 第23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 碘化铯晶体的水解抛光实验研究 | 第24-42页 |
| 3.1 碘化铯晶体水解抛光的抛光液研究 | 第24-32页 |
| 3.1.1 对抛光液性能的要求 | 第24-25页 |
| 3.1.2 水解抛光的抛光液成分选用 | 第25-27页 |
| 3.1.3 表面活性剂的选用 | 第27-32页 |
| 3.2 碘化铯晶体水解抛光实验的设备材料与条件过程 | 第32-34页 |
| 3.2.1 实验设备与材料 | 第32-33页 |
| 3.2.2 实验条件与过程 | 第33-34页 |
| 3.3 碘化铯晶体水解抛光中输入变量对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第34-40页 |
| 3.3.1 影响碘化铯晶体水解抛光中的变量参数 | 第34页 |
| 3.3.2 抛光前的研磨预加工 | 第34-35页 |
| 3.3.3 抛光液配比对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.4 抛光时间对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.5 抛光盘转速对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.6 抛光压强对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 碘化铯晶体无水解抛光的实验研究 | 第42-57页 |
| 4.1 碘化铯晶体无水解抛光中的磨料种类 | 第42-44页 |
| 4.2 氧化铈抛光粉对碘化铯晶体的无水解抛光影响 | 第44-49页 |
| 4.2.1 氧化铈抛光粉的性质 | 第44-46页 |
| 4.2.2 CeO2磨料含量对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.3 抛光盘转数对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.4 抛光压强对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第48-49页 |
| 4.3 二氧化硅抛光粉对碘化铯晶体无水解抛光的影响 | 第49-53页 |
| 4.3.1 二氧化硅抛光粉的性质 | 第49-50页 |
| 4.3.2 SiO_2磨料含量对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.3 抛光盘转数对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第52页 |
| 4.3.4 抛光压强对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 无水解抛光后的表面形貌分析 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
