| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-14页 |
| 1.1.1 航天辐照事故原因分析 | 第11-12页 |
| 1.1.2 单粒子效应概述 | 第12-14页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第14-26页 |
| 1.2.1 单粒子瞬态效应的产生机理 | 第14-20页 |
| 1.2.2 器件结构对单粒子瞬态效应的影响研究进展 | 第20-26页 |
| 1.3 课题研究内容和意义 | 第26-27页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第27-28页 |
| 第二章 集成电路中的单粒子瞬态效应及其模拟方法 | 第28-37页 |
| 2.1 数字IC中的SET | 第28-29页 |
| 2.2 集成电路SET的模拟方法 | 第29-31页 |
| 2.2.1 SPICE模拟SET方法 | 第29-30页 |
| 2.2.2 TCAD模拟SET方法 | 第30-31页 |
| 2.3 基于TCAD的SET模拟 | 第31-36页 |
| 2.3.1 采用TCAD和SPCIE混合模拟集成电路的SET | 第31-32页 |
| 2.3.2 TCAD模型的校准 | 第32-33页 |
| 2.3.3 Sentaurus TCAD模拟工具的使用 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 阱接触面积对单粒子瞬态效应的影响 | 第37-46页 |
| 3.1 研究背景 | 第37页 |
| 3.2 模拟设置与结果分析 | 第37-41页 |
| 3.2.1 模拟方法 | 第37-38页 |
| 3.2.2 模拟条件 | 第38-39页 |
| 3.2.3 结果与分析 | 第39-41页 |
| 3.3 LET对SET脉冲宽度的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.1 脉冲宽度与粒子LET的相关性 | 第41-42页 |
| 3.3.2 脉冲宽度与器件间距的相关性 | 第42-43页 |
| 3.4 阱接触保护环对PMOS SET脉冲宽度影响的实验 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 结深对单粒子瞬态效应的影响 | 第46-58页 |
| 4.1 研究背景 | 第46-47页 |
| 4.2 结深对单粒子瞬态效应的模拟试验 | 第47-55页 |
| 4.2.1 模拟设置 | 第47页 |
| 4.2.2 器件模拟结果 | 第47-51页 |
| 4.2.3 机理分析 | 第51-55页 |
| 4.3 结深在不同电压、温度下的变化趋势 | 第55-57页 |
| 4.3.1 结深在不同电压下的变化趋势 | 第55-56页 |
| 4.3.2 结深在不同温度下的变化趋势 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-60页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第58-59页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第66页 |
