| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 气敏传感器的分类及应用 | 第10-11页 |
| 1.2.2 气敏传感器的主要特征参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 金属氧化物半导体气敏传感器的发展趋势 | 第13-15页 |
| 1.3 酒精气敏传感器 | 第15-17页 |
| 1.3.1 酒精气敏传感器的研究背景 | 第15-16页 |
| 1.3.2 半导体型酒精气敏传感器的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征 | 第19-28页 |
| 2.1 传感器件结构及制备流程 | 第19-24页 |
| 2.1.1 衬底清洗 | 第20页 |
| 2.1.2 叉指电极的制备 | 第20-21页 |
| 2.1.3 多孔硅衬底的制备 | 第21-23页 |
| 2.1.4 传感器薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.2 传感器件的表征与测试 | 第24-28页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试 | 第24-25页 |
| 2.2.2 微观形貌测试 | 第25-26页 |
| 2.2.3 晶格结构测试 | 第26页 |
| 2.2.4 气敏性能测试 | 第26-28页 |
| 第三章 TiO_2薄膜的制备以及气敏特性研究 | 第28-39页 |
| 3.1 氧分压对TiO_2薄膜特性及气敏性能的影响 | 第28-31页 |
| 3.1.1 氧分压对TiO_2薄膜特性的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.2 氧分压对TiO_2薄膜传感特性的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 功率对TiO_2薄膜特性及气敏性能的影响 | 第31-35页 |
| 3.2.1 功率对TiO_2薄膜传感特性的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 功率对TiO_2薄膜传感特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 衬底温度对TiO_2薄膜特性及气敏性能的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.1 衬底温度对TiO_2薄膜特性的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 衬底温度对TiO_2薄膜传感特性的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 金属氧化物叠层结构的气敏特性研究 | 第39-49页 |
| 4.1 TiO_2/SnO_2叠层结构的制备 | 第39-40页 |
| 4.2 TiO_2/SnO_2叠层结构的表征 | 第40-41页 |
| 4.3 TiO_2/SnO_2叠层结构的气敏特性研究 | 第41-45页 |
| 4.3.1 TiO_2/SnO_2叠层结构传感器件最佳工作温度的研究 | 第41页 |
| 4.3.2 TiO_2/SnO_2叠层结构传感器件灵敏度的研究 | 第41-42页 |
| 4.3.3 TiO_2/SnO_2叠层结构传感器件气体选择性的研究 | 第42-43页 |
| 4.3.4 TiO_2/SnO_2叠层结构传感器件稳定性的研究 | 第43-45页 |
| 4.4 TiO_2/SnO_2叠层结构传感器件的气敏机理的研究 | 第45-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 多孔硅基金属氧化物传感器 | 第49-55页 |
| 5.1 多孔硅衬底的制备 | 第49-52页 |
| 5.1.1 硅片清洗 | 第49-50页 |
| 5.1.2 双槽电化学腐蚀制备多孔硅 | 第50-51页 |
| 5.1.3 多孔硅衬底的表征 | 第51-52页 |
| 5.2 多孔硅基TiO_2薄膜传感特性的研究 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
