| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 GaN HEMT发展历史和现状 | 第17-19页 |
| 1.3 射频器件建模 | 第19-23页 |
| 1.3.1 使用的EDA工具 | 第20-21页 |
| 1.3.2 射频器件的建模流程 | 第21-23页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件建模和测试综述 | 第25-35页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT的基本结构 | 第25页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件模型 | 第26-28页 |
| 2.2.1 器件模型分类 | 第26-27页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的建模要求 | 第27-28页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件模型发展现状 | 第28-32页 |
| 2.3.1 AlGaN/GaN HEMT器件模型及建模方法简介 | 第28-29页 |
| 2.3.2 国内外AlGaN/GaN HEMT器件建模领域的发展 | 第29-31页 |
| 2.3.3 GaN功率器件模型存在的问题 | 第31-32页 |
| 2.4 射频S参数的测量技术 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT小信号建模与验证 | 第35-57页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模型 | 第35-38页 |
| 3.1.1 小信号模型的建立流程 | 第35-36页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路参数分布与电路模型 | 第36-37页 |
| 3.1.3 小信号等效电路模型提取参数过程 | 第37-38页 |
| 3.2 PAD电容的提取方法 | 第38-40页 |
| 3.2.1 测试结构方法 | 第38-39页 |
| 3.2.2 截止条件方法 | 第39-40页 |
| 3.3 寄生电感的提取方法 | 第40-42页 |
| 3.3.1 短路测试结构方法 | 第41页 |
| 3.3.2 反向截止偏置法 | 第41-42页 |
| 3.4 寄生电阻的提取方法 | 第42-43页 |
| 3.4.1 Cold-FETS参数方法 | 第42-43页 |
| 3.4.2 其他方法介绍 | 第43页 |
| 3.5 本征元件的提取技术 | 第43-46页 |
| 3.6 半分析法提取模型参数 | 第46-48页 |
| 3.7 多偏置下的参数提取与验证 | 第48-55页 |
| 3.7.1 测试夹具的介绍 | 第48-50页 |
| 3.7.2 测试过程及测试结果记录 | 第50-51页 |
| 3.7.3 小信号模型参数提取 | 第51-53页 |
| 3.7.4 模型仿真结果的验证与分析 | 第53-55页 |
| 3.8 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT噪声建模与验证 | 第57-77页 |
| 4.1 噪声模型介绍 | 第57-58页 |
| 4.2 射频噪声参数的测量技术 | 第58-63页 |
| 4.2.1 Y系数法 | 第59-62页 |
| 4.2.2 直接测试法 | 第62页 |
| 4.2.3 冷态噪声源法 | 第62-63页 |
| 4.3 噪声去嵌算法 | 第63-66页 |
| 4.4 噪声模型参数提取 | 第66-67页 |
| 4.5 噪声模型参数提取和仿真结果验证 | 第67-75页 |
| 4.5.1 噪声模型的创建 | 第67-69页 |
| 4.5.2 噪声模型参数提取 | 第69-70页 |
| 4.5.3 噪声模型仿真结果的验证与分析 | 第70-73页 |
| 4.5.4 AlGaN/GaN HEMT器件噪声模型讨论 | 第73-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结和展望 | 第77-79页 |
| 5.1 总结 | 第77页 |
| 5.2 工作展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
