高压PSOI-LDMOS的机理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1. 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1. 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2. LDMOS概述 | 第11-18页 |
| 1.2.1. LDMOS基本结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2. LDMOS结终端技术简介 | 第12-18页 |
| 1.3. 论文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2. PSOI基本结构与机理研究 | 第19-34页 |
| 2.1. SOI概述 | 第19-25页 |
| 2.1.1. SOI材料制备 | 第20-22页 |
| 2.1.2. SOI LDMOS器件耐压机理分析 | 第22-24页 |
| 2.1.3. SOI LDMOS器件通态电阻分析 | 第24-25页 |
| 2.2. PSOI基本结构 | 第25-27页 |
| 2.3. LDMOS的基本建模公式 | 第27-32页 |
| 2.3.1. SOI的基本建模公式 | 第27-29页 |
| 2.3.2. 传统结隔离器件建模 | 第29-31页 |
| 2.3.3. PSOI建模基本思路 | 第31-32页 |
| 2.4. 本章小结 | 第32-34页 |
| 3. PSOI LDMOS的参数分析 | 第34-43页 |
| 3.1. 器件结构及参数处理 | 第34-36页 |
| 3.2. 参数影响分析 | 第36-41页 |
| 3.2.1. 纵向电场和电压分析 | 第36页 |
| 3.2.2. 横向电场分析 | 第36-37页 |
| 3.2.3. 不同条件下窗口长度的分析 | 第37-40页 |
| 3.2.4. 器件尺寸分析 | 第40-41页 |
| 3.3. 器件性能分析 | 第41-42页 |
| 3.4. 本章小结 | 第42-43页 |
| 4. 具有N型硅岛和阶梯掺杂漂移区的PSOI | 第43-55页 |
| 4.1. 器件结构及原理 | 第43-45页 |
| 4.2. 结果分析 | 第45-53页 |
| 4.2.1. 电场电势分析 | 第45-48页 |
| 4.2.2. 参数影响分析 | 第48-52页 |
| 4.2.3. 器件性能分析 | 第52-53页 |
| 4.3. 本章小结 | 第53-55页 |
| 5. 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1. 全文总结 | 第55-56页 |
| 5.2. 未来工作的展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 作者在读研期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第62页 |
