| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 SOI简述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 SOI材料的制备 | 第10-11页 |
| 1.1.2 SOI结构的优势 | 第11-13页 |
| 1.2 SOI LDMOS基本结构 | 第13页 |
| 1.3 SOI耐压技术简述 | 第13-18页 |
| 1.3.1 横向耐压技术成果概述 | 第13-16页 |
| 1.3.2 纵向耐压技术成果概述 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文主要研究工作和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 SOI功率器件的理论基础 | 第20-36页 |
| 2.1 SOI LDMOS器件耐压机理分析 | 第20-22页 |
| 2.1.1 雪崩击穿 | 第20页 |
| 2.1.2 横向表面耐压分析 | 第20-21页 |
| 2.1.3 纵向体内耐压分析 | 第21-22页 |
| 2.2 SOI LDMOS器件通态电阻分析 | 第22-23页 |
| 2.3 RESURF原理 | 第23-25页 |
| 2.4 LDMOS的基本建模公式 | 第25-30页 |
| 2.4.1 SOI的基本建模公式 | 第25-28页 |
| 2.4.2 传统结隔离器件建模 | 第28-30页 |
| 2.5 SOI LDMOS电学特性分析 | 第30-35页 |
| 2.5.1 漂移区浓度的影响 | 第30-31页 |
| 2.5.2 顶层硅厚度的影响 | 第31-33页 |
| 2.5.3 埋氧层厚度的影响 | 第33-34页 |
| 2.5.4 漂移区长度的影响 | 第34-35页 |
| 2.6 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 N漂移区减薄的SOI LDMOS器件设计 | 第36-46页 |
| 3.1 TND SOI LDMOS器件结构与基本工作原理 | 第36-37页 |
| 3.2 TND SOI LDMOS器件击穿机理研究 | 第37-42页 |
| 3.3 沟槽几何参数对器件耐压的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 埋氧层减薄的SOI LDMOS器件击穿特性的研究 | 第46-58页 |
| 4.1 具有N型埋层的TND SOI LDMOS | 第46-52页 |
| 4.1.1 器件结构与耐压机理分析 | 第46-48页 |
| 4.1.2 N型埋层对器件的影响 | 第48-51页 |
| 4.1.3 小结 | 第51-52页 |
| 4.2 具有P型埋层的TND SOI LDMOS | 第52-58页 |
| 4.2.1 器件结构与耐压机理分析 | 第52-53页 |
| 4.2.2 器件初始结构定义 | 第53-55页 |
| 4.2.3 器件耐压特性的优化 | 第55-57页 |
| 4.2.4 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 5.1 总结 | 第58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录 | 第65页 |
