| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| ·选题背景和意义 | 第11-12页 |
| ·低功耗射频电路设计的研究现状及发展趋势 | 第12-13页 |
| ·论文的主要内容和组织结构 | 第13-15页 |
| ·主要研究内容 | 第13-14页 |
| ·论文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第2章 射频模拟电路设计方法的基本理论 | 第15-23页 |
| ·射频模拟电路设计方法简述 | 第15-16页 |
| ·射频模拟电路设计的折中与优化 | 第16-17页 |
| ·基于MOS晶体管反型区的研究进行低功耗电路设计 | 第17-20页 |
| ·电路设计性能折中——MOS晶体管工作面的介绍 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 MOS晶体管工作特性及gm/ID设计方法的提出 | 第23-42页 |
| ·有源器件MOS晶体管模型的简单介绍 | 第23-24页 |
| ·EKV模型介绍 | 第24页 |
| ·gm/ID设计方法总述 | 第24-25页 |
| ·gm/ID设计方法提出背景——MOS管工作特性 | 第25-29页 |
| ·MOS晶体管工作在强反型层的特性 | 第25-27页 |
| ·MOS晶体管工作在弱反型层的特性 | 第27-28页 |
| ·MOS晶体管工作在中等反型层的特性 | 第28-29页 |
| ·gm/ID设计方法的具体实现 | 第29-40页 |
| ·gm/ID特性曲线与晶体管尺寸的关系 | 第31-33页 |
| ·gm/ID特性曲线与漏极电压以及工艺角的关系 | 第33-34页 |
| ·gm/ID特性曲线与截止频率和寄生电容的关系 | 第34-38页 |
| ·gm/ID特性曲线与gds/ID的关系 | 第38-40页 |
| ·gm/ID曲线的电路仿真图 | 第40-42页 |
| 第4章 利用gm/ID设计方法设计低功耗LC-VCO | 第42-68页 |
| ·目前LC-VCO设计优化方法的总结 | 第42-43页 |
| ·LC-VCO的理论分析 | 第43-49页 |
| ·LC-VCO基本组成-负反馈电路 | 第43-46页 |
| ·LC-VCO小信号电路模型分析 | 第46-49页 |
| ·LC-VCO中适用于所有反型区的相位噪声模型 | 第49-53页 |
| ·1/f~2相位噪声模型 | 第51-53页 |
| ·1/f~3相位噪声模型 | 第53页 |
| ·闪烁噪声的转折频率 | 第53-54页 |
| ·LC-VCO的设计流程图 | 第54-57页 |
| ·仿真分析 | 第57-61页 |
| ·电路结构图 | 第57-59页 |
| ·仿真结果 | 第59-61页 |
| ·仿真结果比较 | 第61页 |
| ·共源共栅OTA设计与优化 | 第61-67页 |
| ·电路分析 | 第61-65页 |
| ·电路结构描述 | 第65-66页 |
| ·性能仿真 | 第66-67页 |
| ·本章总结 | 第67-68页 |
| 第5章 版图设计 | 第68-75页 |
| ·版图设计需考虑因素 | 第68-71页 |
| ·电路匹配性 | 第68-69页 |
| ·衬底耦合与信号线耦合 | 第69-70页 |
| ·寄生效应 | 第70-71页 |
| ·版图设计中需要注意事项 | 第71-72页 |
| ·输入输出防静电损伤（ESD） | 第71页 |
| ·闩锁效应的预防 | 第71-72页 |
| ·整体电路版图绘制 | 第72-74页 |
| ·本章总结 | 第74-75页 |
| 第6章 总结与展望 | 第75-77页 |
| ·总结 | 第75页 |
| ·展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82页 |