| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·共振隧穿器件简介 | 第9-13页 |
| ·材料结构 | 第10页 |
| ·共振隧穿二极管 | 第10-11页 |
| ·共振隧穿三极管 | 第11-13页 |
| ·研究现状和研究意义 | 第13-14页 |
| ·研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 共振隧穿二极管RTD | 第16-32页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·RTD的材料与能带结构 | 第16-17页 |
| ·RTD的工作原理 | 第17-19页 |
| ·RTD的建模分析 | 第19-23页 |
| ·能带模型 | 第21-22页 |
| ·薛定谔方程的求解分析 | 第22-23页 |
| ·传递矩阵的建立 | 第23页 |
| ·RTD的设计与仿真 | 第23-31页 |
| ·势阱层厚度 | 第25-27页 |
| ·势垒层厚度 | 第27-30页 |
| ·势垒层Al组分 | 第30-31页 |
| ·掺杂浓度 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 高电子迁移率晶体管HEMT | 第32-50页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·HEMT的器件工艺 | 第32-36页 |
| ·PHEMT的电学特性 | 第36-39页 |
| ·AlGaAs/InGaAs异质结 | 第36-37页 |
| ·肖特基势垒 | 第37页 |
| ·工作原理 | 第37-39页 |
| ·I-V特性 | 第39页 |
| ·不同掺杂工艺对PHEMT电学性能的影响分析 | 第39-49页 |
| ·普通掺杂PHEMT | 第40-41页 |
| ·单平面掺杂PHEMT | 第41-43页 |
| ·双平面掺杂PHEMT | 第43-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 RTD/HEMT并联型共振隧穿晶体管RTT | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·RTD/HEMT的并联结构 | 第50-51页 |
| ·MOBILE电路工作原理 | 第51-54页 |
| ·RTD/HEMT并联集成 | 第54页 |
| ·电流匹配 | 第54页 |
| ·电压匹配 | 第54页 |
| ·PVCR和PVVR | 第54页 |
| ·RTT器件设计 | 第54-63页 |
| ·材料选择 | 第55-59页 |
| ·器件特性 | 第59-60页 |
| ·功能验证 | 第60-61页 |
| ·制作过程与工艺 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结和展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 | 第69页 |