磁隧道结模型及自旋转移力矩磁随机存储器设计技术研究
| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·传统存储器的发展及其面临的挑战 | 第11-12页 |
| ·磁随机存储器的研究及现状 | 第12-16页 |
| ·磁随机存储器的研究进展 | 第13-15页 |
| ·磁随机存储器存在的问题 | 第15-16页 |
| ·论文的主要研究工作和内容安排 | 第16-19页 |
| 第二章 磁隧道结的基础理论 | 第19-39页 |
| ·物质磁性 | 第19-21页 |
| ·电子自旋 | 第19页 |
| ·磁性系统的能量 | 第19-21页 |
| ·磁电阻效应 | 第21-24页 |
| ·各向异性磁阻 | 第21-22页 |
| ·巨磁阻 | 第22-23页 |
| ·隧穿磁阻 | 第23-24页 |
| ·隧穿磁阻的隧穿机制 | 第24-28页 |
| ·隧穿机制的理论分析 | 第24-25页 |
| ·隧穿机制的理论模型 | 第25-28页 |
| ·磁矩翻转方式 | 第28-33页 |
| ·磁场式翻转 | 第28-30页 |
| ·自旋转移式翻转 | 第30-33页 |
| ·磁隧道结的材料对器件性能影响 | 第33-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第三章 基于 STT 效应磁隧道结的模型研究 | 第39-57页 |
| ·磁隧道结的隧道电阻和磁电阻模型 | 第39-41页 |
| ·磁隧道结的隧道电阻模型 | 第40页 |
| ·依赖于偏压的 TMR 模型 | 第40-41页 |
| ·磁隧道结的开关电流模型 | 第41-51页 |
| ·静态特性 | 第41-44页 |
| ·开关的动态特性和随机模型 | 第44-46页 |
| ·开关电流降低途径 | 第46页 |
| ·面内磁各向异性和垂直磁各向异性 | 第46-51页 |
| ·磁隧道结的击穿特性 | 第51页 |
| ·磁隧道结行为模型的建立 | 第51-55页 |
| ·模型参数 | 第51-52页 |
| ·物理模型的行为描述 | 第52-54页 |
| ·行为模型的仿真验证 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第四章 STT-MRAM 关键电路模块的研究 | 第57-97页 |
| ·MRAM 的类型 | 第57-60页 |
| ·第一代磁随机存储器（MRAM） | 第57-59页 |
| ·自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM) | 第59-60页 |
| ·STT-MRAM 写入驱动电路的研究 | 第60-71页 |
| ·写入过程的 I-V 特性 | 第61-62页 |
| ·高压写入电路 | 第62-64页 |
| ·低压写入电路 | 第64-66页 |
| ·自使能开关写入电路 | 第66-71页 |
| ·STT-MRAM 读取电路的研究 | 第71-89页 |
| ·读取电流大小 | 第72-74页 |
| ·读取电流方向 | 第74-75页 |
| ·灵敏放大器 | 第75-80页 |
| ·参考单元 | 第80-89页 |
| ·字线选择晶体管的研究 | 第89-91页 |
| ·字线选择晶体管的大小 | 第89-91页 |
| ·字线选择晶体管驱动电压的设计 | 第91页 |
| ·STT-MRAM 的抗辐照研究 | 第91-94页 |
| ·辐射效应 | 第91-92页 |
| ·STT-MRAM 的抗辐照加固设计 | 第92-94页 |
| ·小结 | 第94-97页 |
| 第五章 16Kb STT-MRAM 的电路设计 | 第97-111页 |
| ·16Kb STT-MRAM 系统结构设计 | 第97-100页 |
| ·STT-MRAM 系统结构 | 第97页 |
| ·存储器的层次化设计 | 第97-100页 |
| ·STT-MRAM 电路设计 | 第100-109页 |
| ·存储单元和阵列结构 | 第100-104页 |
| ·逻辑控制电路的设计 | 第104-107页 |
| ·读写电路的设计 | 第107-109页 |
| ·电路综合仿真 | 第109页 |
| ·小结 | 第109-111页 |
| 第六章 结论与展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第125-127页 |
| 学术论文 | 第125-126页 |
| 参加研究的科研项目 | 第126-127页 |
