| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·研究目的 | 第10-11页 |
| ·研究结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·直拉单晶硅中的空位 | 第12-16页 |
| ·直拉单晶硅中的空洞型缺陷 | 第16-21页 |
| ·空洞型缺陷的形成 | 第16-18页 |
| ·空洞型缺陷的分类和测量 | 第18-20页 |
| ·空洞型缺陷的消除 | 第20-21页 |
| ·直拉硅单晶中的氧 | 第21-26页 |
| ·直拉硅单晶中氧的引入 | 第21页 |
| ·氧的相关性质 | 第21-25页 |
| ·氧的测量 | 第25-26页 |
| ·直拉单晶硅中的氧沉淀及内吸杂 | 第26-34页 |
| ·氧沉淀的形核 | 第26-28页 |
| ·氧沉淀的长大及形态 | 第28-30页 |
| ·氧沉淀形成密度的影响因素 | 第30-31页 |
| ·单晶硅中的内吸杂 | 第31-34页 |
| 第三章 实验样品和实验设备 | 第34-40页 |
| ·实验样品 | 第34-35页 |
| ·样品的选取 | 第34页 |
| ·样品的制备和处理 | 第34-35页 |
| ·样品处理设备 | 第35-37页 |
| ·普通大型热退火炉 | 第35页 |
| ·快速热处理炉 | 第35-37页 |
| ·样品测试仪器 | 第37-40页 |
| ·硅抛光片表面质量相关测试 | 第37页 |
| ·傅里叶红外(FTIR)测试 | 第37-38页 |
| ·扫描红外显微镜(SIRM) | 第38页 |
| ·光学显微镜(OM) | 第38-40页 |
| 第四章 200mm直拉硅抛光片高温退火后表面质量研究 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·抛光片高温退火后表面出现雾的研究 | 第40-45页 |
| ·抛光硅片表面雾消除的研究 | 第45-47页 |
| ·粗糙度与雾分布的研究 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 1200℃以上高温预退火对氧沉淀形成的影响 | 第50-66页 |
| ·前言 | 第50-52页 |
| ·高温预处理时间和温度对氧沉淀的影响 | 第52-59页 |
| ·高温预处理时间对轻掺磷样品氧沉淀的影响 | 第52-55页 |
| ·高温预处理时间对轻掺硼样品氧沉淀的影响 | 第55-57页 |
| ·高温预处理时间对氧沉淀影响的进一步验证 | 第57-58页 |
| ·高温预处理温度对氧沉淀的影响 | 第58-59页 |
| ·模拟原生沉淀形成的研究 | 第59-62页 |
| ·高温预处理后出炉温度对氧沉淀影响 | 第62-63页 |
| ·高温预处理在内吸杂工艺中的应用 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 个人简历 | 第78-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及取得的其他研究成果 | 第80页 |