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AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退化模型研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-16页
   ·课题背景及意义第10-11页
   ·PHEMT 发展历程及基本工作原理第11-13页
   ·国内外研究现状第13-14页
   ·本论文研究内容第14-16页
第2章 参数退化理论模型第16-40页
   ·基本加速模型第16-19页
     ·阿伦尼斯模型第16-17页
     ·逆幂律模型第17-18页
     ·广义艾林模型第18-19页
   ·参数退化模型建立第19-24页
     ·模型推导第19-21页
     ·模型验证第21-24页
   ·失效机理一致性判别模型第24-37页
     ·理论第25-28页
     ·模型验证第28-31页
     ·试验第31页
     ·寿命分布判别第31-34页
     ·拟合优度检验第34-35页
     ·参数估计第35-37页
   ·本章小结第37-40页
第3章 PHEMT 在线参数退化试验方案及试验系统第40-48页
   ·试验方案制定第40-43页
     ·试验样品的选取第40-41页
     ·试验应力的加载第41-42页
     ·参数的测量第42-43页
   ·试验系统第43-47页
     ·温度控制系统第43-45页
     ·在线参数测试系统第45-47页
   ·本章小结第47-48页
第4章 PHEMT 栅电流参数退化模型的建立第48-60页
   ·肖特基电流输运机理第48-51页
     ·热电子发射理论第48-49页
     ·隧穿理论第49-51页
   ·试验结果分析第51-53页
   ·退化模型建立第53-58页
   ·本章小结第58-60页
结论第60-64页
参考文献第64-68页
攻读学位期间发表的论文第68-70页
致谢第70页

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