具有ITO的GaNLED光电特性及可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·透明导电薄膜 | 第10页 |
| ·ITO的物理结构和特性 | 第10-14页 |
| ·ITO薄膜的结构 | 第10-11页 |
| ·ITO薄膜的电学特性 | 第11页 |
| ·ITO薄膜的光学特性 | 第11-12页 |
| ·ITO薄膜的导电机理 | 第12-14页 |
| ·ITO在LED芯片制作中的应用 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章 利用ITO改善LED性能的理论研究 | 第18-28页 |
| ·电子束蒸发制备ITO | 第18-20页 |
| ·薄膜的结构和性能测试 | 第20-22页 |
| ·膜厚的测量 | 第20-21页 |
| ·四探针法测量薄膜的方阻 | 第21-22页 |
| ·分光光度计测量薄膜透射率 | 第22页 |
| ·热处理对ITO特性的影响 | 第22-26页 |
| ·实验过程 | 第23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 ITO在蓝光LED中的接触特性研究 | 第28-42页 |
| ·金/半接触 | 第28-31页 |
| ·金属—半导体界面态 | 第28-29页 |
| ·导电机理 | 第29-31页 |
| ·欧姆接触测试方法 | 第31-35页 |
| ·传输线模型 | 第32-33页 |
| ·环形传输线模型 | 第33-35页 |
| ·霍尔测试 | 第35-37页 |
| ·ITO/P-GaN接触特性研究 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 ITO对LED性能的影响 | 第42-56页 |
| ·电流扩展 | 第42-47页 |
| ·电流拥挤效应 | 第42页 |
| ·电流拥挤模型 | 第42-46页 |
| ·获得均匀电流扩展的方法 | 第46-47页 |
| ·ITO退火对蓝光LED性能的影响 | 第47-50页 |
| ·实验样品的制备 | 第47-48页 |
| ·测试结果及分析 | 第48-50页 |
| ·具有ITO的GaN基高压蓝光LED特性分析 | 第50-54页 |
| ·高压蓝光LED设计与制造 | 第50-51页 |
| ·高压蓝光LED测试与分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 基于ITO的GaNLED热特性及可靠性 | 第56-80页 |
| ·LED可靠性 | 第56-58页 |
| ·LED可靠性定义 | 第56-57页 |
| ·LED可靠性试验 | 第57-58页 |
| ·LED参数与结温的关系 | 第58-64页 |
| ·实验样品及装置 | 第58-59页 |
| ·测试结果及分析 | 第59-64页 |
| （1）光效随电流、温度的变化关系 | 第59-60页 |
| （2）结温、电流、电压之间的变化关系 | 第60-62页 |
| （3）温升对光通量和发光波长的影响 | 第62-64页 |
| ·加速寿命试验 | 第64-67页 |
| ·加速寿命试验的基本思想 | 第64-66页 |
| ·加速寿命试验的理论依据 | 第66-67页 |
| ·ITO对GaNLED可靠性的影响 | 第67-77页 |
| ·GaNLED电压升高现象研究 | 第67-71页 |
| ·GaNLED电流应力试验 | 第71-74页 |
| ·GaNLED失效机理分析 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
