| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·本课题研究背景 | 第10页 |
| ·发光二极管的发展 | 第10-16页 |
| ·高压 LED 的发展和优势 | 第11-14页 |
| ·GaN 基 LED 微显示的发展和应用 | 第14-16页 |
| ·论文主要工作内容 | 第16-18页 |
| 第2章 LED 的基本理论和制备工艺 | 第18-30页 |
| ·发光二极管的工作原理 | 第18-19页 |
| ·LED 的光电参数介绍 | 第19-24页 |
| ·电学特征参数 | 第19-20页 |
| ·光学特征参数 | 第20页 |
| ·LED 综合性能参数 | 第20-22页 |
| ·影响 GaN 基 LED 光学特性的效应以及参数的提取 | 第22-24页 |
| ·GaN 基 LED 的基本制备工艺 | 第24-27页 |
| ·光刻 | 第24-25页 |
| ·电感耦合等离子体刻蚀(ICP) | 第25页 |
| ·等离子体增强化学气象淀积(PECVD) | 第25-26页 |
| ·溅射 | 第26-27页 |
| ·GaN 基 LED 的制备工艺流程 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 GaN 基高压 LED 的设计 | 第30-54页 |
| ·电学参数的设计 | 第30-40页 |
| ·电流扩展模型分析 | 第30-35页 |
| ·平面式电极电流扩展模型分析 | 第30-32页 |
| ·带有电流扩展层电流扩展模型分析 | 第32-34页 |
| ·电流扩展的一维模拟 | 第34-35页 |
| ·电极优化实验 | 第35-40页 |
| ·传输线模型 | 第35-36页 |
| ·实验过程 | 第36页 |
| ·实验结果分析 | 第36-40页 |
| ·光学参数的设计 | 第40-51页 |
| ·ITO 折射率和厚度对出光的影响 | 第40-43页 |
| ·ITO 厚度对出光的影响 | 第40-42页 |
| ·ITO 折射率对出光的影响 | 第42-43页 |
| ·粗化对出光的影响 | 第43-47页 |
| ·SiO2粗化对出光的影响 | 第44-45页 |
| ·ITO 粗化对出光的影响 | 第45-46页 |
| ·LED 边缘粗化对出光的影响 | 第46-47页 |
| ·电流阻挡层对出光的影响 | 第47-49页 |
| ·背镀 DBR 对出光的影响 | 第49-50页 |
| ·图形化蓝宝石衬底对出光的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第4章 GaN 基高压 LED 关键工艺的研究和制备测试 | 第54-72页 |
| ·ICP 深蚀刻的研究 | 第54-58页 |
| ·不同掩膜对 ICP 刻蚀的影响 | 第54-56页 |
| ·ITO 对 ICP 刻蚀的影响 | 第56-58页 |
| ·ICP 刻蚀深槽隔离对高压 LED 的影响 | 第58页 |
| ·ITO 退火工艺的研究 | 第58-64页 |
| ·ITO 退火对 LED 电学特性的影响 | 第59-62页 |
| ·ITO 退火对 LED 光学特性的影响 | 第62-64页 |
| ·不同电极材料对 LED 的影响研究 | 第64-69页 |
| ·高压 LED 的制备和测试 | 第69-71页 |
| ·高压 LED 的制备 | 第69页 |
| ·高压 LED 的测试和分析 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 GaN 基 LED 微显示的初步研究 | 第72-82页 |
| ·GaN 基 LED 基微显示的设计 | 第72-74页 |
| ·被动驱动微显示的设计 | 第72-73页 |
| ·主动驱动的微显示设计 | 第73-74页 |
| ·微显示的工艺制备的关键工艺 | 第74-76页 |
| ·微显示 ICP 刻蚀工艺的优化 | 第74-75页 |
| ·隔离绝缘层的优化 | 第75-76页 |
| ·微显示的制备和测试 | 第76-81页 |
| ·样品制备 | 第76-79页 |
| ·测试与分析 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |