| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 前言 | 第7-8页 |
| 第一章 CMOS集成电路锗化硅外延层发展的起因与挑战 | 第8-24页 |
| ·集成电路概述 | 第8-15页 |
| ·集成电路的产生及历史意义 | 第8-9页 |
| ·集成电路的类别 | 第9页 |
| ·集成电路的发展历程及摩尔定律 | 第9-14页 |
| ·CMOS集成电路发展面临的挑战及解决方法 | 第14-15页 |
| ·CMOS集成电路锗化硅外延工艺的发展及挑战 | 第15-24页 |
| ·CMOS集成电路载流子的迁移率 | 第15-16页 |
| ·CMOS集成电路主要晶体应变技术简介 | 第16-20页 |
| ·嵌入式选择性锗化硅外延工艺现状 | 第20-22页 |
| ·本论文的目的和论文内容的安排 | 第22-24页 |
| 第二章 选择性锗化硅外延层的制造及相关参数测试 | 第24-36页 |
| ·选择性锗化硅外延层生长的机台简介 | 第24-26页 |
| ·机台类型的选择 | 第24页 |
| ·AMAT选择性外延反应腔的应用 | 第24-25页 |
| ·AMAT Centura(?)RP Epi机台构造简介 | 第25-26页 |
| ·AMAT Centura(?)RP Epi温度控制系统和稳定性测试 | 第26页 |
| ·选择性SiGe外延反应原理和外延工艺顺序 | 第26-27页 |
| ·锗化硅外延控片和产品的准备 | 第27-30页 |
| ·控片的准备 | 第27-28页 |
| ·产品的准备 | 第28-30页 |
| ·器件测试设备简介 | 第30-36页 |
| ·光学厚度量测设备简介 | 第30-31页 |
| ·光学微尘量测设备简介 | 第31-33页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第33-34页 |
| ·二次离子质谱仪(SIMS) | 第34页 |
| ·器件测试仪器介绍 | 第34-36页 |
| 第三章 锗化硅外延层的图形密度效应分析 | 第36-48页 |
| ·锗化硅外延层图形密度效应的产生 | 第36页 |
| ·宏观图形密度效应(Global Loading) | 第36-39页 |
| ·微观图形密度效应 | 第39-44页 |
| ·微观图形密度效应的产生及验证 | 第39-41页 |
| ·微观图形密度效应对栅间距渐变的影响 | 第41-44页 |
| ·图形密度效应的减小方法 | 第44-48页 |
| 第四章 选择性外延锗化硅工艺影响因素研究 | 第48-59页 |
| ·外延锗化硅的临界厚度研究 | 第48-49页 |
| ·选择性外延锗化硅工艺影响因素研究 | 第49-55页 |
| ·各因素对选择性外延SiGe生长的理论分析 | 第49-50页 |
| ·SiGe影响因素实验方法设计 | 第50-55页 |
| ·选择性外延SiGe工艺在线分析 | 第55-59页 |
| ·选择性外延SiGe工艺透射电子显微镜分析(TEM) | 第55-56页 |
| ·选择性外延SiGe工艺电性分析 | 第56-59页 |
| 第五章 选择性外延SiGe工艺籽晶层的研究 | 第59-63页 |
| ·选择性外延SiGe工艺籽晶层的由来 | 第59-60页 |
| ·SiGe籽晶层厚度均匀性的研究 | 第60-62页 |
| ·SiGe锗浓度梯度的研究 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 论文与专利发表 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
