| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·CMOS 集成电路的发展历程 | 第7-8页 |
| ·小尺寸MOSFET 面临的挑战 | 第8-13页 |
| ·小尺寸MOSFET 中的新物理效应 | 第8-11页 |
| ·MOSFET 尺寸缩小对工艺的挑战 | 第11-13页 |
| ·小尺寸MOSFET 的发展趋势 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 2 小尺寸MOSFET 反型沟道量子化效应 | 第15-28页 |
| ·MOS 结构中强反型层的形成 | 第15-18页 |
| ·沟道反型层量子化效应 | 第18-23页 |
| ·量子效应机理分析 | 第18-19页 |
| ·二维电子气模型 | 第19-21页 |
| ·三角阱近似迭代求解反型层载流子分布 | 第21-23页 |
| ·模拟结果及分析 | 第23-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 量子修正的小尺寸高K 栅介质MOSFET 阈值电压模型 | 第28-40页 |
| ·沟道反型层量子化对阈值电压的影响 | 第28-29页 |
| ·量子效应修正的长沟道MOSFET 阈值电压模型 | 第29-32页 |
| ·量子效应修正的短沟道MOSFET 阈值电压模型 | 第32-34页 |
| ·阈值电压模型的比较 | 第34-37页 |
| ·量子修正的高K 栅介质MOSFET 阈值电压模型 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 高K 栅介质MOS 器件工艺研究 | 第40-60页 |
| ·概述 | 第40-41页 |
| ·样品制备流程 | 第41-46页 |
| ·基片清洗 | 第41-42页 |
| ·表面预处理 | 第42-43页 |
| ·HfO_2 栅介质淀积 | 第43-44页 |
| ·淀积后热退火处理 | 第44页 |
| ·Al 栅电极制备 | 第44-46页 |
| ·电极金属退火 | 第46页 |
| ·测量结果与讨论 | 第46-57页 |
| ·界面态的测量方法 | 第46-49页 |
| ·边界陷阱密度的测量方法 | 第49-50页 |
| ·测量结果分析 | 第50-57页 |
| ·基于LABVIEW 的自动测试系统 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 5 总结 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第69页 |