| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·国内外研究发展状况 | 第7-9页 |
| ·本文工作目的及内容 | 第9-11页 |
| 第二章 应变MOS器件研究 | 第11-29页 |
| ·应变硅技术研究 | 第11-17页 |
| ·应变硅晶格结构 | 第11-12页 |
| ·应变硅导带能带结构 | 第12-13页 |
| ·应变硅价带能带结构 | 第13-14页 |
| ·应变硅载流子有效质量 | 第14-15页 |
| ·应变硅MOSFET迁移率的增强机理 | 第15-17页 |
| ·MOS器件应力引入技术 | 第17-21页 |
| ·机械力致应变技术 | 第17-18页 |
| ·全局应变技术 | 第18-19页 |
| ·局部应变技术 | 第19-21页 |
| ·应变CMOS器件结构 | 第21-23页 |
| ·应变SGOI CMOS结构 | 第21-22页 |
| ·埋层双应变沟道CMOS结构 | 第22-23页 |
| ·新型应变CMOS器件 | 第23-28页 |
| ·器件结构和关键工艺 | 第24-25页 |
| ·应变硅衬底结构 | 第25-27页 |
| ·应变Si材料生长的临界厚度 | 第27-28页 |
| ·STI隔离 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 应变硅表面沟道NMOSFET | 第29-39页 |
| ·应变硅表面沟道NMOSFET阈值电压模型 | 第29-34页 |
| ·长沟道阈值电压模型 | 第29-31页 |
| ·短沟道阈值电压模型 | 第31-32页 |
| ·模拟计算与结果分析 | 第32-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| ·应变硅NMOSFET有效迁移率模型 | 第34-37页 |
| ·晶格散射决定的迁移率 | 第34-35页 |
| ·库仑散射决定的迁移率 | 第35页 |
| ·表面散射决定的迁移率 | 第35页 |
| ·载流子间散射决定的迁移率 | 第35页 |
| ·应变硅NMOSFET的有效迁移率模型 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 应变硅垂直沟道PMOSFET | 第39-49页 |
| ·应变硅PMOSFET短沟道阈值电压模型 | 第39-44页 |
| ·长沟道阈值电压模型 | 第39-41页 |
| ·短沟道阈值电压模型 | 第41-42页 |
| ·结果讨论 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| ·应变硅PMOSFET反型层空穴迁移率模型 | 第44-47页 |
| ·晶格散射决定的迁移率 | 第44-45页 |
| ·库仑散射决定的迁移率 | 第45页 |
| ·表面散射决定的迁移率 | 第45页 |
| ·应变硅PMOSFET的有效迁移率模型 | 第45-46页 |
| ·结果讨论 | 第46-47页 |
| ·结论 | 第47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第五章 新型应变CMOS器件模拟 | 第49-59页 |
| ·电学特性分析 | 第49-53页 |
| ·应变CMOS的直流特性 | 第49-51页 |
| ·应变CMOS交流小信号特性 | 第51-53页 |
| ·器件材料物理参数的优化设计 | 第53-57页 |
| ·栅氧化层厚度t_(sio2)对器件电学特性的影响 | 第53-54页 |
| ·弛豫Si_(1-x)Ge_x层的Ge组分x对器件电学特性的影响 | 第54-55页 |
| ·应变Si层厚度对器件电学特性的影响 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结束语 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 在读期间主要研究成果 | 第69页 |