| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·集成电路技术发展面临的瓶颈 | 第11-17页 |
| ·栅瓶颈与高k栅介质 | 第11-15页 |
| ·互连瓶颈 | 第15-17页 |
| ·论文架构 | 第17-18页 |
| 第二章 原子层淀积原理及理论研究方法 | 第18-23页 |
| ·原子层淀积技术及原理 | 第18-22页 |
| ·ALD自限制生长特点和表面吸附 | 第19-21页 |
| ·ALD在生长薄膜中的应用 | 第21-22页 |
| ·原子层淀积的理论研究方法 | 第22-23页 |
| 第三章 SIOC低K互连介质上原子层淀积TIN阻挡层理论研究 | 第23-33页 |
| ·计算方法 | 第24页 |
| ·计算结果 | 第24-31页 |
| ·TiCl_4与SiOC介质反应生成-TiCl_3基团终端 | 第25-28页 |
| ·NH_3与-TiCl_3基团反应生成TiN | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 单壁碳纳米管上原子层淀积AL_2O_3高K栅介质理论研究 | 第33-41页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·计算方法及过程 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·H_2O在SWCNT上吸附和解吸附反应路径分析 | 第35-37页 |
| ·TMA在SWCNT上吸附和解吸附反应路径分析 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 基于硒纳米线MOS器件制备及其电学特性研究 | 第41-52页 |
| ·纳米管和纳米线 | 第41-43页 |
| ·一维纳米材料在集成电路中的应用及面临的问题 | 第43-44页 |
| ·硒(SE)材料特性 | 第44-45页 |
| ·聚焦离子束(FIB) | 第45-46页 |
| ·SE纳米线器件制备 | 第46-48页 |
| ·SE纳米线器件电学性能分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 全文结论与展望 | 第52-55页 |
| ·全文结论 | 第52-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 硕士期间发表论文列表 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
