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低电压SRAM内建自测试电路技术研究与实现

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 研究背景第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-10页
    1.3 论文的主要工作第10-11页
    1.4 论文的结构第11-13页
第二章 低电压SRAM设计与测试概述第13-31页
    2.1 低电压SRAM概述第13-16页
        2.1.1 低电压6TSRAM第14-15页
        2.1.2 新型低电压8TSRAM第15页
        2.1.3 超低电压多阈值9TSRAM第15-16页
    2.2 低电压SRAM故障模型第16-20页
        2.2.1 低电压SRAM单元故障第17-19页
        2.2.2 地址译码器故障第19页
        2.2.3 读写干扰故障第19-20页
    2.3 低电压SRAMDFT测试技术第20-24页
    2.4 低电压SRAM内建自测试技术第24-30页
        2.4.1 SRAMMarch算法第24-27页
        2.4.2 SRAM内建自测试电路第27-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第三章 面向稳定性故障DFT电路设计第31-40页
    3.1 稳定性故障的产生原因第31-34页
        3.1.1 低电压SRAM单元中的静态噪声容限第31-32页
        3.1.2 静态噪声容限与稳定性故障的关系第32-33页
        3.1.3 制造缺陷引起稳定性故障第33-34页
    3.2 稳定性故障的注入第34-35页
    3.3 DFT电路设计第35-38页
    3.4 本章小结第38-40页
第四章 基于March-Like算法BIST电路设计第40-53页
    4.1 March C+算法第40-41页
    4.2 March-Like算法推导第41-47页
        4.2.1 低电压SRAM故障检测算法推导第41-44页
        4.2.2 March-Like算法设计第44-47页
    4.3 基于March-Like算法的内建自测试电路设计第47-51页
        4.3.1 MBIST电路结构第47页
        4.3.2 内建自测试电路关键模块设计第47-51页
    4.4 本章小结第51-53页
第五章 低电压SRAM测试电路实现与分析第53-66页
    5.1 测试平台与对象第53-56页
        5.1.1 EDA工具第53-54页
        5.1.2 MBIST测试流程第54页
        5.1.3 低电压SRAM电路实现第54-56页
    5.2 实验结果与分析第56-65页
        5.2.1 面向稳定性故障DFT电路仿真与分析第56-58页
        5.2.2 基于March-Like算法BIST电路仿真与分析第58-65页
    5.3 本章小结第65-66页
第六章 总结与展望第66-68页
    6.1 总结第66-67页
    6.2 展望第67-68页
参考文献第68-71页
附录 攻读硕士学位期间申请的专利第71-72页
致谢第72页

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