| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料特性及应用 | 第11-13页 |
| 1.3 GaN功率器件国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本文构架和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理与制备 | 第16-27页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与2DEG形成机理 | 第16-19页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHEFT工作原理 | 第19-22页 |
| 2.2.1 常规HFET工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 增强型AlGaN/GaNHEFT器件实现方法 | 第20-22页 |
| 2.3 GaN凹槽栅器件实现工艺流程 | 第22-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaN增强型MIS-HFET阈值电压调控技术的仿真研究 | 第27-42页 |
| 3.1 GaN槽栅MIS-HFET阈值电压模型 | 第28-31页 |
| 3.2 GaNTrench-GateMIS-HFET器件基本特性仿真 | 第31-34页 |
| 3.3 凹槽栅氟离子埋层器件的提出及仿真 | 第34-40页 |
| 3.3.1 器件结构及工作原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 氟离子埋层设计 | 第35-38页 |
| 3.3.3 新结构仿真 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 增强型GaN凹槽栅MIS-HFET阈值电压调控的实验研究 | 第42-65页 |
| 4.1 凹槽栅氟离子埋层器件核心工艺研发 | 第42-52页 |
| 4.1.1 晶片初始状态测试 | 第42-44页 |
| 4.1.2 核心工艺设计 | 第44-45页 |
| 4.1.3 凹槽栅刻蚀工艺 | 第45-50页 |
| 4.1.4 氟离子注入工艺 | 第50-52页 |
| 4.2 凹槽栅氟离子埋层器件测试与分析 | 第52-63页 |
| 4.2.1 离子注入剂量对器件性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.2.2 界面处理与低功率离子注入 | 第56-59页 |
| 4.2.3 器件电学测试分析 | 第59-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73页 |
