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增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 研究背景第10-11页
    1.2 GaN材料特性及应用第11-13页
    1.3 GaN功率器件国内外研究现状第13-15页
    1.4 本文构架和主要内容第15-16页
第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理与制备第16-27页
    2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与2DEG形成机理第16-19页
    2.2 AlGaN/GaNHEFT工作原理第19-22页
        2.2.1 常规HFET工作原理第19-20页
        2.2.2 增强型AlGaN/GaNHEFT器件实现方法第20-22页
    2.3 GaN凹槽栅器件实现工艺流程第22-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 GaN增强型MIS-HFET阈值电压调控技术的仿真研究第27-42页
    3.1 GaN槽栅MIS-HFET阈值电压模型第28-31页
    3.2 GaNTrench-GateMIS-HFET器件基本特性仿真第31-34页
    3.3 凹槽栅氟离子埋层器件的提出及仿真第34-40页
        3.3.1 器件结构及工作原理第34-35页
        3.3.2 氟离子埋层设计第35-38页
        3.3.3 新结构仿真第38-40页
    3.4 本章小结第40-42页
第四章 增强型GaN凹槽栅MIS-HFET阈值电压调控的实验研究第42-65页
    4.1 凹槽栅氟离子埋层器件核心工艺研发第42-52页
        4.1.1 晶片初始状态测试第42-44页
        4.1.2 核心工艺设计第44-45页
        4.1.3 凹槽栅刻蚀工艺第45-50页
        4.1.4 氟离子注入工艺第50-52页
    4.2 凹槽栅氟离子埋层器件测试与分析第52-63页
        4.2.1 离子注入剂量对器件性能的影响第52-56页
        4.2.2 界面处理与低功率离子注入第56-59页
        4.2.3 器件电学测试分析第59-63页
    4.3 本章小结第63-65页
第五章 结论第65-67页
    5.1 总结第65-66页
    5.2 展望第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-73页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第73页

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