| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 电子封装技术发展状况 | 第10-11页 |
| 1.2 电子封装材料 | 第11-14页 |
| 1.3 CBGA封装技术 | 第14-15页 |
| 1.4 研究意义与内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第15页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 钡铝硼硅玻璃陶瓷样品的制备与测试 | 第17-22页 |
| 2.1 钡铝硼硅玻璃陶瓷的原料 | 第17页 |
| 2.2 样品的制备工艺流程及设备 | 第17-19页 |
| 2.3 样品性能的分析测试 | 第19-22页 |
| 第三章 不同玻璃配比对玻璃陶瓷性能的影响 | 第22-45页 |
| 3.1 不同SiO_2含量对钡铝硼硅玻璃陶瓷性能的影响 | 第22-28页 |
| 3.1.1 样品制备 | 第22页 |
| 3.1.2 实验结果分析 | 第22-28页 |
| 3.2 不同Al_2O_3含量对钡铝硼硅玻璃陶瓷性能的影响 | 第28-33页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第28页 |
| 3.2.2 结果与分析 | 第28-33页 |
| 3.3 掺杂Y_2O_3对钡铝硼硅玻璃陶瓷性能的影响 | 第33-38页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第33页 |
| 3.3.2 结果与分析 | 第33-38页 |
| 3.4 掺杂V_2O_5对钡铝硼硅玻璃陶瓷性能的影响 | 第38-43页 |
| 3.4.1 样品制备 | 第38页 |
| 3.4.2 结果与分析 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 钡铝硼硅玻璃陶瓷的烧结动力学研究 | 第45-55页 |
| 4.1 烧结动力学模型简介 | 第45-46页 |
| 4.2 不同SiO_2含量玻璃陶瓷样品的烧结激活能计算 | 第46-49页 |
| 4.3 掺杂Y_2O_3玻璃陶瓷样品的烧结激活能计算 | 第49-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 玻璃陶瓷热膨胀系数的理论研究 | 第55-61页 |
| 5.1 热膨胀系数的理论模型 | 第55-57页 |
| 5.1.1 氧化物法 | 第55-56页 |
| 5.1.2 晶相法 | 第56-57页 |
| 5.2 不同SiO_2含量样品的热膨胀系数计算 | 第57-58页 |
| 5.3 掺杂Y_2O_3样品的热膨胀系数计算 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |
