| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第10-12页 |
| 1.3 GaN功率器件国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要框架和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理与制备工艺 | 第16-29页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应 | 第16-18页 |
| 2.2 常规GaNHEMT器件结构与工作原理 | 第18-21页 |
| 2.3 常规GaNHEMT器件制备工艺 | 第21-28页 |
| 2.3.1 有源区隔离 | 第22-24页 |
| 2.3.2 欧姆接触 | 第24-26页 |
| 2.3.3 器件表面钝化和栅介质淀积 | 第26-27页 |
| 2.3.4 肖特基金属 | 第27-28页 |
| 2.4 本章总结 | 第28-29页 |
| 第三章 GaN基场控能带新器件设计 | 第29-49页 |
| 3.1 GaN基增强型技术 | 第29-33页 |
| 3.1.1 P-cap技术 | 第29-30页 |
| 3.1.2 凹槽栅技术 | 第30-32页 |
| 3.1.3 薄势垒技术 | 第32页 |
| 3.1.4 氟离子注入技术 | 第32-33页 |
| 3.1.5 Casccode级联技术 | 第33页 |
| 3.2 场控能带技术 | 第33-36页 |
| 3.3 GaN基双向开关器件结构与仿真分析 | 第36-44页 |
| 3.3.1 双向开关器件结构 | 第36-38页 |
| 3.3.2 双向开关器件仿真分析 | 第38-44页 |
| 3.4 逆阻型MIS-HEMT器件结构与仿真 | 第44-48页 |
| 3.4.1 逆阻型MIS-HEMT器件结构 | 第45-46页 |
| 3.4.2 逆阻型MIS-HEMT仿真分析 | 第46-48页 |
| 3.5 本章总结 | 第48-49页 |
| 第四章 GaN基器件制备工艺研究 | 第49-62页 |
| 4.1 GaN基器件制备工艺流程 | 第49-56页 |
| 4.2 关键工艺优化 | 第56-61页 |
| 4.2.1 欧姆接触优化 | 第56-59页 |
| 4.2.2 栅槽界面优化 | 第59-61页 |
| 4.3 本章总结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70页 |