| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 化学机械研磨简介 | 第9-11页 |
| 1.2 隔离技术发展及STI CMP工艺简述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 隔离技术发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 STI CMP工艺及其影响 | 第12-14页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 化学机械研磨工艺 | 第16-30页 |
| 2.1 化学机械研磨的原理 | 第16页 |
| 2.2 化学机械研磨机台 | 第16-18页 |
| 2.3 化学机械研磨的主要耗材 | 第18-25页 |
| 2.3.1 研磨头 | 第18-20页 |
| 2.3.2 研磨垫 | 第20-22页 |
| 2.3.3 研磨垫调整器 | 第22-23页 |
| 2.3.4 研磨液 | 第23-24页 |
| 2.3.5 毛刷（BRUSH） | 第24-25页 |
| 2.4 化学机械研磨的应用 | 第25-29页 |
| 2.4.1 氧化硅CMP | 第25-27页 |
| 2.4.2 钨CMP | 第27-28页 |
| 2.4.3 铜CMP | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 CMP的主要工艺指标 | 第30-35页 |
| 3.1 研磨速率 | 第30-31页 |
| 3.2 均匀性 | 第31-32页 |
| 3.3 缺陷 | 第32-33页 |
| 3.3.1 划伤 | 第32页 |
| 3.3.2 研磨液粒子残留 | 第32-33页 |
| 3.3.3 碟形化（DISHING） | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 STI CMP研磨方式的研究 | 第35-58页 |
| 4.1 早期传统STI CMP工艺 | 第35-37页 |
| 4.1.1 STI工艺流程和主要问题 | 第35-36页 |
| 4.1.2 SiO2研磨液的特性介绍 | 第36页 |
| 4.1.3 初期STI CMP工艺 | 第36-37页 |
| 4.2 二氧化铈研磨液应用下的STI CMP工艺 | 第37-38页 |
| 4.3 两步研磨法 | 第38-39页 |
| 4.4 比较二氧化硅和二氧化铈研磨液对STI碟形缺陷的影响（实验） | 第39-51页 |
| 4.4.1 实验材料 | 第39-42页 |
| 4.4.2 实验条件和步骤 | 第42-45页 |
| 4.4.3 实验数据 | 第45-50页 |
| 4.4.4 实验总结 | 第50-51页 |
| 4.5 时间研磨法在STI CMP中的应用 | 第51页 |
| 4.6 终点控制研磨法在STI CMP中的应用 | 第51-52页 |
| 4.7 STI CMP制程的时间控制优化 | 第52-56页 |
| 4.8 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 STI CMP主要工艺问题的改善 | 第58-71页 |
| 5.1 微划伤缺陷的改善 | 第58-65页 |
| 5.1.1 问题描述和成因分析 | 第58-60页 |
| 5.1.2 来源验证 | 第60-63页 |
| 5.1.3 优化实验 | 第63-65页 |
| 5.1.4 实验结论 | 第65页 |
| 5.2 边缘氮化硅残留问题的改善 | 第65-70页 |
| 5.2.1 问题描述和成因分析 | 第65-66页 |
| 5.2.2 来源验证 | 第66-68页 |
| 5.2.3 优化实验 | 第68-70页 |
| 5.2.4 实验结论 | 第70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |