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基于能量平衡模型的GaN太赫兹耿氏二极管特性研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-25页
    1.1 太赫兹波概述第17-18页
    1.2 太赫兹波的特点与应用第18-23页
    1.3 太赫兹技术的发展状况第23-24页
    1.4 论文的结构及主要内容第24-25页
第二章 GaN耿氏二极管工作机理分析第25-35页
    2.1 耿氏二极管概述第25-29页
        2.1.1 产生耿氏效应的条件第26-27页
        2.1.2 畴形成及消失的过程第27-29页
    2.2 耿氏二极管的工作模式第29-31页
    2.3 耿氏二极管的应用第31-33页
    2.4 本章小结第33-35页
第三章 GaN耿氏二极管能量平衡模型分析第35-55页
    3.1 器件仿真软件简介第35-36页
    3.2 能量平衡模型介绍第36-40页
    3.3 GaN耿氏二极管能量平衡模型仿真第40-53页
        3.3.1 GaN耿氏二极管器件结构第40-41页
        3.3.2 GaN耿氏二极管伏安特性分析第41-42页
        3.3.3 GaN耿氏二极管瞬态振荡模拟第42-44页
        3.3.4 器件结构参数对耿氏二极管性能的影响第44-53页
    3.4 本章小结第53-55页
第四章 GaN耿氏二极管非等温能量平衡模型分析第55-73页
    4.1 GIGA模块介绍第55页
    4.2 非等温能量平衡模型简介第55-57页
    4.3 非等温能量平衡模型器件级仿真第57-71页
        4.3.1 GaN耿氏二极管伏安特性模拟第57-58页
        4.3.2 GaN耿氏二极管瞬态特性模拟第58-71页
    4.4 本章小结第71-73页
第五章 总结与展望第73-75页
参考文献第75-79页
致谢第79-81页
作者简介第81页

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