基于能量平衡模型的GaN太赫兹耿氏二极管特性研究
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-14页 |
缩略语对照表 | 第14-17页 |
第一章 绪论 | 第17-25页 |
1.1 太赫兹波概述 | 第17-18页 |
1.2 太赫兹波的特点与应用 | 第18-23页 |
1.3 太赫兹技术的发展状况 | 第23-24页 |
1.4 论文的结构及主要内容 | 第24-25页 |
第二章 GaN耿氏二极管工作机理分析 | 第25-35页 |
2.1 耿氏二极管概述 | 第25-29页 |
2.1.1 产生耿氏效应的条件 | 第26-27页 |
2.1.2 畴形成及消失的过程 | 第27-29页 |
2.2 耿氏二极管的工作模式 | 第29-31页 |
2.3 耿氏二极管的应用 | 第31-33页 |
2.4 本章小结 | 第33-35页 |
第三章 GaN耿氏二极管能量平衡模型分析 | 第35-55页 |
3.1 器件仿真软件简介 | 第35-36页 |
3.2 能量平衡模型介绍 | 第36-40页 |
3.3 GaN耿氏二极管能量平衡模型仿真 | 第40-53页 |
3.3.1 GaN耿氏二极管器件结构 | 第40-41页 |
3.3.2 GaN耿氏二极管伏安特性分析 | 第41-42页 |
3.3.3 GaN耿氏二极管瞬态振荡模拟 | 第42-44页 |
3.3.4 器件结构参数对耿氏二极管性能的影响 | 第44-53页 |
3.4 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 GaN耿氏二极管非等温能量平衡模型分析 | 第55-73页 |
4.1 GIGA模块介绍 | 第55页 |
4.2 非等温能量平衡模型简介 | 第55-57页 |
4.3 非等温能量平衡模型器件级仿真 | 第57-71页 |
4.3.1 GaN耿氏二极管伏安特性模拟 | 第57-58页 |
4.3.2 GaN耿氏二极管瞬态特性模拟 | 第58-71页 |
4.4 本章小结 | 第71-73页 |
第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
致谢 | 第79-81页 |
作者简介 | 第81页 |