| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 三维封装发展状况 | 第12-20页 |
| 1.2.1 3D封装技术的起源与发展 | 第12-15页 |
| 1.2.2 三维封装的主流技术 | 第15-19页 |
| 1.2.3 三维封装面临的技术问题及研究思路 | 第19-20页 |
| 1.3 课题来源、研究内容和论文组织结构 | 第20-22页 |
| 2 机械减薄工艺研究 | 第22-38页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 机械减薄工艺建模 | 第22-30页 |
| 2.2.1 机械磨削物理过程及亚表面损伤机理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 有限元模型建立 | 第24-27页 |
| 2.2.3 仿真结果与分析 | 第27-30页 |
| 2.3 机械减薄工艺实验 | 第30-36页 |
| 本章小结 | 第36-38页 |
| 3 集成超薄TSV晶圆减薄工艺 | 第38-71页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 基于干法刻蚀的集成晶圆减薄工艺 | 第38-44页 |
| 3.3 基于湿法腐蚀的集成晶圆减薄工艺 | 第44-53页 |
| 3.3.1 集成各向同性湿法腐蚀的晶圆减薄工艺 | 第44-49页 |
| 3.3.2 基于各项异性湿法腐蚀的集成减薄工艺 | 第49-53页 |
| 3.4 超薄晶圆临时键合方法及拿持夹具 | 第53-64页 |
| 3.4.1 超薄晶圆临时键合方法 | 第53-61页 |
| 3.4.2 超薄晶圆拿持夹具 | 第61-64页 |
| 3.5 与TSV工艺兼容的晶圆减薄工艺 | 第64-69页 |
| 3.6 本章小结 | 第69-71页 |
| 4 芯片堆叠工艺仿真及实验 | 第71-96页 |
| 4.1 引言 | 第71-72页 |
| 4.2 铜-锡微凸块键合工艺 | 第72-81页 |
| 4.2.1 铜锡微凸块键合 | 第72-74页 |
| 4.2.2 高分子胶铜锡微凸块混杂键合 | 第74-78页 |
| 4.2.3 键合结构改良的铜锡微凸块键合 | 第78-81页 |
| 4.3 芯片键合模块热机械可靠性 | 第81-89页 |
| 4.3.1 BCB胶粘弹性(Visco-Elastic)测量 | 第81-83页 |
| 4.3.2 铜锡微凸块/BCB混杂键合芯片模块热机械可靠性 | 第83-87页 |
| 4.3.3 改良键合结构的铜锡微凸块键合芯片模块热机械可靠性 | 第87-89页 |
| 4.4 基于改良键合结构的铜-锡微凸块芯片堆叠 | 第89-95页 |
| 4.4.1 盲孔刻蚀与电镀 | 第89-90页 |
| 4.4.2 正反面铜锡凸块制作 | 第90-93页 |
| 4.4.3 划片及堆叠 | 第93-95页 |
| 4.5 本章小结 | 第95-96页 |
| 5 多孔纳米铜锡芯片堆叠工艺 | 第96-120页 |
| 5.1 引言 | 第96-97页 |
| 5.2 纳米多孔铜-锡微凸块键合 | 第97-104页 |
| 5.2.1 键合芯片样品制备 | 第97-99页 |
| 5.2.2 纳米多孔铜-锡微凸块制备 | 第99-102页 |
| 5.2.3 纳米多孔铜-锡键合模块力学性能 | 第102-104页 |
| 5.3 新型芯片堆叠方法 | 第104-110页 |
| 5.3.1 传统三维堆叠方法 | 第104-105页 |
| 5.3.2 基于硅通孔技术的三维堆叠方法 | 第105-108页 |
| 5.3.3 基于微通孔技术的新型三维堆叠方法 | 第108-110页 |
| 5.4 芯片堆叠模块可靠性研究 | 第110-119页 |
| 5.4.1 21层芯片堆叠模块 | 第111-115页 |
| 5.4.2 力学可靠性 | 第115-116页 |
| 5.4.3 热机械可靠性 | 第116-118页 |
| 5.4.4 电学性能测试 | 第118-119页 |
| 5.5 本章小结 | 第119-120页 |
| 6 全文总结与工作展望 | 第120-123页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第120-121页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-133页 |
| 附录 | 第133-135页 |
| 附录1 攻读学位期间发表学术论文目录 | 第133-135页 |
| 附录2 攻读学位期间申请专利目录 | 第135页 |
