| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 课题研究的背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 三维集成电路概述 | 第13-16页 |
| 1.2.1 三维集成电路出现的背景 | 第13-14页 |
| 1.2.2 三维集成电路的绑定 | 第14-16页 |
| 1.3 三维集成电路的测试挑战 | 第16-22页 |
| 1.3.1 三维集成电路的成本 | 第16-19页 |
| 1.3.2 三维集成电路的良品率 | 第19-20页 |
| 1.3.3 三维集成电路的缺陷检测 | 第20-22页 |
| 1.4 三维集成电路检测方法的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第23页 |
| 1.6 本文的创新点 | 第23-26页 |
| 第二章 TSV的制造工艺和缺陷检测技术 | 第26-36页 |
| 2.1 TSV制造工艺概述 | 第26-28页 |
| 2.2 TSV的等效参数与模型 | 第28-31页 |
| 2.2.1 TSV的基本模型及参数 | 第28-29页 |
| 2.2.2 TSV的故障模型 | 第29-31页 |
| 2.3 TSV缺陷检测技术 | 第31-34页 |
| 2.3.1 绑定前TSV的缺陷检测 | 第31-33页 |
| 2.3.2 绑定后TSV的缺陷检测 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 三维集成电路绑定前TSV漏电缺陷检测方法 | 第36-48页 |
| 3.1 绑定前TSV漏电缺陷检测方法 | 第36-38页 |
| 3.2 可编程型检测信号生成器概述 | 第38-43页 |
| 3.2.1 可编程型检测信号生成器 | 第38-39页 |
| 3.2.2 可编程型检测信号生成器的基础结构 | 第39-41页 |
| 3.2.3 可编程型检测信号生成器的工作模式 | 第41-43页 |
| 3.2.4 本节小结 | 第43页 |
| 3.3 精简的TSV漏电缺陷检测结构 | 第43-48页 |
| 3.3.1 精简型TSV漏电缺陷检测结构 | 第43-45页 |
| 3.3.2 精简型检测信号生成器 | 第45-47页 |
| 3.3.3 本节小结 | 第47-48页 |
| 第四章 三维集成电路绑定前TSV漏电缺陷检测实验 | 第48-62页 |
| 4.1 绑定前TSV漏电缺陷检测的仿真实验 | 第48-53页 |
| 4.1.1 可编程型检测信号生成器的仿真实验 | 第48-49页 |
| 4.1.2 绑定前TSV漏电缺陷检测的仿真实验 | 第49-53页 |
| 4.2 精简的TSV漏电缺陷检测结构的仿真实验 | 第53-59页 |
| 4.2.1 精简型检测信号生成器的仿真实验 | 第53-56页 |
| 4.2.2 精简的TSV漏电缺陷检测结构的仿真实验 | 第56-59页 |
| 4.3 功耗对比 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 作者与导师简介 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73-74页 |