| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 一 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 GaSb晶体的晶格结构和性质 | 第11-13页 |
| 1.1.1 GaSb晶体的基本结构 | 第11页 |
| 1.1.2 GaSb晶体的基本物理性质 | 第11-13页 |
| 1.2 GaSb半导体材料的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 GaSb的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Al_xGa_(1-x)Sb的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的研究目的与意义 | 第16-17页 |
| 二 第一性原理的理论基础 | 第17-23页 |
| 2.1 第一性原理的发展 | 第17页 |
| 2.2 密度泛函理论介绍 | 第17-20页 |
| 2.2.1 绝热近似和哈特利-福克近似 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.2.4 交换关联泛函 | 第20页 |
| 2.3 正交化平面波方法和赝势方法 | 第20-21页 |
| 2.4 计算软件包简述 | 第21-22页 |
| 2.5 论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 三 GaSb和Al_xGa_(1-x)Sb材料的第一性原理计算 | 第23-46页 |
| 3.1 理论模型与计算方法 | 第23-24页 |
| 3.2 本征闪锌矿型XSb(X=Ga、Al、In)的计算结果与分析 | 第24-31页 |
| 3.2.1 晶格常数与电子结构 | 第24-28页 |
| 3.2.2 光学性质 | 第28-29页 |
| 3.2.3 声子谱和热力学性质 | 第29-31页 |
| 3.3 Al_xGa_(1-x)Sb的计算结果与分析 | 第31-43页 |
| 3.3.1 不同组分的晶格结构与稳定性 | 第32-34页 |
| 3.3.2 三元混晶体系的晶格常数变化 | 第34-35页 |
| 3.3.3 三元混晶体系的电子结构 | 第35-41页 |
| 3.3.4 三元混晶体系的光学性质 | 第41-43页 |
| 3.4 In_xGa_(1-x)Sb的计算结果与分析 | 第43-44页 |
| 3.5 总结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第52页 |
