| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·研究意义 | 第11-12页 |
| ·功率 UMOSFET 的发展 | 第12-20页 |
| ·超低导通电阻 UMOSFET | 第15-16页 |
| ·超结 | 第16-17页 |
| ·OB、GOB | 第17-18页 |
| ·深沟槽超功率 MOSFET | 第18-19页 |
| ·纵向 RESURF UMOSFET 与分裂栅型 UMOSFET | 第19-20页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 栅增强功率 UMOSFET 深槽介质工程的理论研究 | 第22-33页 |
| ·OB 结构的理论与优缺点 | 第23-25页 |
| ·GOB 结构的理论与优缺点 | 第25-26页 |
| ·栅增强功率 UMOSFET 深槽介质工程的理论研究 | 第26-32页 |
| ·漂移区掺杂浓度 Nd | 第27-28页 |
| ·介质层厚度 | 第28-29页 |
| ·漂移区长度 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 栅增强功率 UMOSFET 深槽介质工程的器件结构与仿真 | 第33-40页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第33-34页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第34-38页 |
| ·对参数模型的验证 | 第34-35页 |
| ·漂移区长度变化对器件性能的影响 | 第35-37页 |
| ·MTDSG-UMOS 和 GE-UMOS 的仿真对比 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 栅增强功率 UMOSFET 深槽介质工程的低栅漏电荷结构 | 第40-47页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第40-41页 |
| ·仿真结果与分析 | 第41-46页 |
| ·器件结构电学特性 | 第42-44页 |
| ·器件结构参数特性研究 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
