| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·宽禁带半导体材料的优势 | 第10-11页 |
| ·功率半导体器件分类 | 第11-12页 |
| ·4H-SiC JBS 器件的研究意义及研究现状 | 第12-16页 |
| ·本文章节安排 | 第16-18页 |
| 第2章 4H-SiC 结势垒肖特基二极管 | 第18-30页 |
| ·肖特基二极管 | 第18-24页 |
| ·肖特基接触 | 第18-20页 |
| ·肖特基势垒中载流子的输运机理 | 第20-21页 |
| ·肖特基二极管的理论与分析 | 第21-24页 |
| ·4H-SiC JBS 器件的结构与工作原理 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC JBS 二极管的电参数特性 | 第25-28页 |
| ·正向导通特性 | 第26-27页 |
| ·反向截止特性 | 第27页 |
| ·输出电容 | 第27-28页 |
| ·二次击穿 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 4H-SiC TSOB 结势垒肖特基二极管特性研究 | 第30-46页 |
| ·4H-SiC TSOB 器件结构 | 第30-31页 |
| ·4H-SiC TSOB 器件结构优化 | 第31-39页 |
| ·沟槽深度 X1 的变化对器件特性的影响 | 第31-33页 |
| ·有源区浓度 Nd1 的变化对器件特性的影响 | 第33-35页 |
| ·N-外延层浓度 Nd2 的变化对器件特性的影响 | 第35-37页 |
| ·N-外延层厚度 D 的变化对器件特性的影响 | 第37-39页 |
| ·4H-SiC TSOB 与 4H-SiC OI-TSOB 器件的特性比较 | 第39-43页 |
| ·正向导通特性 | 第40-41页 |
| ·反向截止特性 | 第41-42页 |
| ·输出电容 | 第42-43页 |
| ·4H-SiC TSOB 和 4H-SiC OI-TSOB 器件结构的工艺流程 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 具有 P-gradient 结构的 4H-SiC JBS 器件特性研究 | 第46-58页 |
| ·PIMP-JBS 和 PTBP-JBS 器件的结构与工作原理 | 第46-47页 |
| ·PIMP-JBS 和 PTBP-JBS 器件的结构优化 | 第47-50页 |
| ·PIMP-JBS 和 PTBP-JBS 与普通 JBS 的特性比较 | 第50-55页 |
| ·正向导通特性 | 第50-52页 |
| ·反向截止特性 | 第52-54页 |
| ·输出电容 | 第54-55页 |
| ·4H-SiC 结势垒控制肖特基二极管的工艺流程 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
