| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| ·硅基应变技术应用 | 第14-17页 |
| ·应变 SiGe 技术应用 | 第14-16页 |
| ·应变 Si 技术应用 | 第16-17页 |
| ·应变 Ge 的应用 | 第17页 |
| ·硅基应变材料研究现状 | 第17-19页 |
| ·应变 SiGe 材料研究现状 | 第17-18页 |
| ·应变 Si 材料研究现状 | 第18页 |
| ·应变 SOI 基材料研究现状 | 第18-19页 |
| ·硅基应变材料生长动力学及模型研究状况 | 第19-21页 |
| ·化学热力学模型 | 第19页 |
| ·表面反应动力学模型 | 第19-21页 |
| ·硅基应变材料缺陷控制研究状况 | 第21-22页 |
| ·国外研究现状 | 第21页 |
| ·国内研究现状 | 第21-22页 |
| ·硅基应变与弛豫材料基本特性 | 第22-31页 |
| ·晶格结构 | 第22页 |
| ·临界厚度 | 第22-24页 |
| ·应变 Si 能带结构 | 第24-25页 |
| ·应变 SiGe 能带结构 | 第25-26页 |
| ·应变 Ge 价带结构研究 | 第26-30页 |
| ·力学与热学特性 | 第30-31页 |
| ·论文的主要工作 | 第31-35页 |
| 第二章 硅基应变材料的 RPCVD 计算流体动力学模拟研究 | 第35-61页 |
| ·计算流体动力学的微分控制方程 | 第35-36页 |
| ·本构方程 | 第35页 |
| ·连续方程 | 第35-36页 |
| ·动量方程 | 第36页 |
| ·能量方程 | 第36页 |
| ·组分输运方程 | 第36页 |
| ·FLUENT 软件原理 | 第36-38页 |
| ·FLUENT 软件的特点与组成 | 第37页 |
| ·FLUENT 的计算技术与网格生成技术 | 第37-38页 |
| ·FLUENT 的求解步骤 | 第38页 |
| ·FLUENT 仿真模型与边界条件 | 第38-42页 |
| ·RPCVD 反应室结构与仿真模型 | 第39页 |
| ·网格划分及边界定义 | 第39页 |
| ·物理参数模型 | 第39-40页 |
| ·物质属性与流体模型 | 第40-41页 |
| ·仿真计算的基本假设与边界条件 | 第41-42页 |
| ·FLUENT 模拟结果与分析 | 第42-52页 |
| ·流量对流场分布的模拟 | 第42-45页 |
| ·压强对流场分布的模拟 | 第45-48页 |
| ·基座温度对流场的影响 | 第48-52页 |
| ·模型验证 | 第52页 |
| ·FLUENT 模拟的正交法优化研究 | 第52-59页 |
| ·正交法原理 | 第52-53页 |
| ·正交法实验一 | 第53-56页 |
| ·正交法实验二 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第三章 硅基应变材料 CVD 生长机理与生长动力学模型研究 | 第61-95页 |
| ·硅和锗半导体的表面结构与特性 | 第61-64页 |
| ·硅和锗的表面重构 | 第61-63页 |
| ·Si 和 Ge 的表面电子结构 | 第63-64页 |
| ·氢的吸附与脱附机理 | 第64-66页 |
| ·预成对机理 | 第64页 |
| ·隔离二氢化物机理 | 第64-65页 |
| ·共二聚体机理 | 第65页 |
| ·激发电子态机理 | 第65-66页 |
| ·硅烷和锗烷的吸附分解反应机理 | 第66-67页 |
| ·硅烷和锗烷的反应 | 第66页 |
| ·硅烷和锗烷的吸附活化能 | 第66-67页 |
| ·硅基应变材料的 CVD 生长理论与机理 | 第67-73页 |
| ·碰撞理论 | 第67-69页 |
| ·CVD 扩散理论 | 第69-70页 |
| ·半导体表面吸附理论 | 第70-71页 |
| ·H_2的吸附/脱附动力学 | 第71-72页 |
| ·SiH_4和 GeH_4的吸附分解 | 第72-73页 |
| ·基于碰撞理论的表面反应生长动力学模型 | 第73-77页 |
| ·H_2的吸附与脱附速率 | 第73-74页 |
| ·SiH_4与 GeH_4的表面碰撞率 | 第74-75页 |
| ·SiGe 表面生长动力学模型 | 第75-76页 |
| ·模型的 RPCVD 实验验证 | 第76-77页 |
| ·基于 Grove 理论的生长动力学模型 | 第77-85页 |
| ·Grove 理论 | 第78页 |
| ·SiGe CVD 生长的分立流密度机制 | 第78-79页 |
| ·基于 Grove 理论的生长动力学模型 | 第79-82页 |
| ·扩散系数 | 第82页 |
| ·模型参数的确定 | 第82-84页 |
| ·模型的 RPCVD 实验验证 | 第84-85页 |
| ·基于分速度机制的生长动力学优化模型 | 第85-94页 |
| ·SiGe 材料的合金生长特性 | 第85-86页 |
| ·分速度机制的二聚体理论 | 第86-87页 |
| ·分速度机制 | 第87-89页 |
| ·基于分速度机制的生长动力学模型 | 第89-90页 |
| ·模型参数的确定 | 第90-91页 |
| ·模型的实验验证 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第四章 硅基应变材料的缺陷形成机理与控制方法研究 | 第95-119页 |
| ·硅基应变材料的缺陷机理 | 第95-99页 |
| ·硅基应变材料的缺陷类型 | 第95-97页 |
| ·失配位错与穿透位错的产生 | 第97-98页 |
| ·硅基应变材料中的位错环 | 第98-99页 |
| ·硅基应变材料的位错行为 | 第99-102页 |
| ·位错的滑移 | 第99-100页 |
| ·位错的攀移 | 第100页 |
| ·位错的交互作用 | 第100-101页 |
| ·位错的增殖 | 第101-102页 |
| ·硅基应变材料的缺陷控制技术 | 第102-108页 |
| ·渐变组分 SiGe 缓冲层技术 | 第102-104页 |
| ·低温 Si 技术 | 第104-105页 |
| ·低温 SiGe 技术 | 第105页 |
| ·离子注入技术 | 第105-108页 |
| ·硅基应变材料的缺陷控制实验研究 | 第108-117页 |
| ·低温 Si 结合渐变 SiGe 缓冲层的应变 Si 材料 | 第108-111页 |
| ·低温 Si 层结合离子注入的应变 Si 材料 | 第111-114页 |
| ·低温 Si 结合渐变组分 SiGe 层与 Si 间隔层的应变 Si 材料 | 第114-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第五章 硅基应变材料的生长动力学与制备实验研究 | 第119-149页 |
| ·RPCVD 工艺技术 | 第119-121页 |
| ·系统结构 | 第119-120页 |
| ·RPCVD 的工艺特性 | 第120-121页 |
| ·应变 SiGe 的 RPCVD 生长动力学实验研究 | 第121-123页 |
| ·生长速率与温度的关系 | 第121-122页 |
| ·生长速率与 GeH_4流量的关系 | 第122-123页 |
| ·硅基应变材料的 RPCVD 生长实验研究 | 第123-126页 |
| ·基于渐变组分 SiGe 层的应变 Si/SiGe 材料 | 第124页 |
| ·基于低温 Si 缓冲层的应变 Si/SiGe 材料 | 第124-125页 |
| ·基于低温 Si 与渐变组分 SiGe 的应变 Si/SiGe 材料 | 第125页 |
| ·SiGe HBT 材料 | 第125-126页 |
| ·硅基应变与弛豫材料的特性表征 | 第126-142页 |
| ·材料表面形貌及粗糙度的 AFM 表征 | 第126-129页 |
| ·应力与 Ge 组分的 Raman 表征 | 第129-137页 |
| ·缺陷的 TEM 表征 | 第137-139页 |
| ·表面位错密度的 DIC 表征 | 第139-142页 |
| ·机械致单轴应变 SOI 晶圆材料的制备研究 | 第142-147页 |
| ·工艺原理 | 第142-143页 |
| ·机械弯曲台的设计及制作 | 第143-144页 |
| ·SOI 晶圆的制备 | 第144-145页 |
| ·SOI 晶圆的机械弯曲与退火 | 第145-146页 |
| ·单轴应变 SOI 晶圆的表征 | 第146-147页 |
| ·本章小结 | 第147-149页 |
| 第六章 结束语 | 第149-153页 |
| 致谢 | 第153-155页 |
| 参考文献 | 第155-169页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第169-171页 |
