单晶硅表面氧化处理电学性能评价
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·立题背景 | 第9-14页 |
| ·太阳能光伏产业的发展及多晶硅的需求 | 第9-13页 |
| ·多晶硅材料的传统制备方法 | 第13-14页 |
| ·冶金法制备多晶硅 | 第14-19页 |
| ·多晶硅中主要杂质及其影响 | 第14-16页 |
| ·去除杂质的主要方法 | 第16-19页 |
| ·电子束注入提纯思路的引出 | 第19-21页 |
| ·SiO_2/Si界而特性 | 第19-20页 |
| ·电子束特性 | 第20-21页 |
| ·电子束注入提纯思路 | 第21页 |
| ·电阻率与杂质含量的关系 | 第21-22页 |
| ·本文研究的主要目的及内容 | 第22-23页 |
| 2 实验设备及检测仪器 | 第23-32页 |
| ·实验设备 | 第23-26页 |
| ·立式管理式炉 | 第23-24页 |
| ·电子束熔炼炉 | 第24-26页 |
| ·检测仪器 | 第26-30页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第26页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·光谱椭偏仪 | 第28-29页 |
| ·KDY-1型四探针电阻率测试仪 | 第29-30页 |
| ·其他辅助设备 | 第30-32页 |
| ·金刚石片锯切割机 | 第30页 |
| ·超声清洗仪 | 第30-32页 |
| 3 氧化酸洗提纯硅的研究 | 第32-48页 |
| ·氧化峻洗除硼原理 | 第32-35页 |
| ·实验主要原材料及实验方法 | 第35-37页 |
| ·主要原材料 | 第35页 |
| ·硅片预处理 | 第35-36页 |
| ·热氧化实验 | 第36页 |
| ·酸洗去除二氧化硅膜 | 第36-37页 |
| ·结果与分析 | 第37-47页 |
| ·热氧化法制备二氧化硅膜的初步评价 | 第37-44页 |
| ·氧化酸洗除硼的电阻率测定评价 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 电子束注入提纯的探索研究 | 第48-55页 |
| ·电子束注入提纯探索依据 | 第48页 |
| ·实验方法 | 第48-50页 |
| ·结果与分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结及展望 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
