Cu互连失效性的分析与研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·IC 互连技术及其发展 | 第7-9页 |
| ·集成电路互连技术 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·铜互连可靠性问题 | 第9-10页 |
| ·电迁移失效 | 第9-10页 |
| ·应力迁移失效 | 第10页 |
| ·论文的主要工作和内容编排 | 第10-13页 |
| 第二章 铜互连工艺及其失效机理基础 | 第13-23页 |
| ·Cu 互连工艺技术 | 第13-14页 |
| ·电迁移原理和应力迁移失效机理 | 第14-16页 |
| ·电迁移 | 第14页 |
| ·应力迁移 | 第14-16页 |
| ·有限元分析方法 | 第16-17页 |
| ·ABAQUS 仿真方法 | 第17-19页 |
| ·铜互连有限元分析模型 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 Cu 互连的电迁移失效分析与研究 | 第23-37页 |
| ·电迁移失效 | 第23-24页 |
| ·电迁移失效测试实验方案 | 第24-29页 |
| ·测试结构设计 | 第25-27页 |
| ·样品制备 | 第27页 |
| ·电迁移测试实验 | 第27-28页 |
| ·失效分析 | 第28-29页 |
| ·电迁移寿命 | 第29页 |
| ·临界长度效应 | 第29-32页 |
| ·电迁移扩散路径 | 第32-33页 |
| ·早期失效 | 第33-34页 |
| ·改善电迁移失效的措施 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-37页 |
| 第四章 Cu 互连应力迁移失效分析与研究 | 第37-51页 |
| ·有限元模型建立 | 第37-39页 |
| ·层间介质对应力分布的影响 | 第39-43页 |
| ·空洞大小对应力分布的影响 | 第43-46页 |
| ·空洞位置对应力分布的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-55页 |
| ·总结 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |
