| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·半导体存储器产业简介 | 第13-15页 |
| ·课题背景 | 第15页 |
| ·其他Memory 产品的测试现况 | 第15-16页 |
| ·测试Pattern 的设计思路和验证结果 | 第16-17页 |
| ·论文章节组成 | 第17-18页 |
| 第二章 MLC NAND Flash 概述 | 第18-29页 |
| ·MLC NAND Flash 芯片架构 | 第18-19页 |
| ·MLC NAND Flash 存储阵列的组成结构 | 第19页 |
| ·灵敏放大器 | 第19-20页 |
| ·MLC NAND Flash 阈值电压控制 | 第20-22页 |
| ·MLC NAND Flash 的基本操作 | 第22-25页 |
| ·Program 操作 | 第22-24页 |
| ·Erase 操作 | 第24页 |
| ·Read 操作 | 第24-25页 |
| ·Sequence Read 机制 | 第25页 |
| ·存储区块的组织 | 第25-27页 |
| ·存储阵列的寻址方法 | 第27-29页 |
| 第三章 MLC NAND Flash 故障类型 | 第29-40页 |
| ·故障分类 | 第29页 |
| ·Stuck-at 故障 | 第29-30页 |
| ·由电荷泵（Charge Pump）引发 | 第30页 |
| ·由字线电压选择器引发 | 第30页 |
| ·连线短路引发 | 第30页 |
| ·桥接故障（Bridging Fault） | 第30-31页 |
| ·故障状况1：两个字线间短路 | 第31页 |
| ·故障状况2：两个位线间短路 | 第31页 |
| ·干扰故障(Disturb Fault) | 第31-33页 |
| ·栅电压引发编程干扰：Erase 效应（GSE，Gate Stress－Erase） | 第31-32页 |
| ·栅电压引发编程干扰：Program 效应（GSP，Gate Stress－Program） | 第32页 |
| ·漏电压引发编程干扰：Erase 效应（DSE,Drain Stress－Erase） | 第32-33页 |
| ·漏电压引发编程干扰：Program 效应（DSP,Drain Stress－Program） | 第33页 |
| ·断线故障（Broken Connection Fault） | 第33-34页 |
| ·字线相关断线，Gate 上无法加载电压 | 第33-34页 |
| ·位线相关断线，Drain 上无法加载电压 | 第34页 |
| ·串联电阻故障（Series Resistance Fault） | 第34-35页 |
| ·氧化层陷阱故障（Oxide Traps Fault） | 第35-36页 |
| ·污染故障（Contamination Fault） | 第36-37页 |
| ·由污染引起的电荷损失 | 第37页 |
| ·由污染引起的电荷增加 | 第37页 |
| ·漏电流故障（Charge Leakage Fault） | 第37-40页 |
| ·位线漏电流故障 | 第38页 |
| ·行向漏电流故障 | 第38页 |
| ·栅漏耦合故障 | 第38-39页 |
| ·应力导致漏电流（SILC, Stress Induced Leakage Current Faults） | 第39-40页 |
| 第四章 MLC NAND Flash 故障类型探测Pattern 的设计 | 第40-51页 |
| ·MLC NAND Flash 的检测用术语 | 第40页 |
| ·Stuck-at 类型的故障探测Pattern | 第40-42页 |
| ·桥接故障类型的探测Pattern | 第42-43页 |
| ·断线故障类型的探测Pattern | 第43页 |
| ·干扰故障类型的探测Pattern | 第43-46页 |
| ·编程效应的干扰故障的探测Pattern： | 第43-45页 |
| ·擦除效应的干扰故障的探测方法描述如下： | 第45-46页 |
| ·串联电阻故障类型的探测Pattern | 第46-47页 |
| ·氧化层陷阱故障类型的探测Pattern | 第47-49页 |
| ·受主型氧化层陷阱的故障的探测Pattern | 第47-48页 |
| ·施主型氧化层陷阱的故障的探测Pattern | 第48-49页 |
| ·污染故障类型的探测Pattern | 第49页 |
| ·漏电流（Leakage & SILC）故障类型的探测Pattern | 第49-50页 |
| ·故障类型的探测Pattern 汇总 | 第50-51页 |
| 第五章 MLC NAND Flash 故障检测Pattern 的设计 | 第51-58页 |
| ·可检测定值故障的Pattern | 第51-52页 |
| ·可检测桥接故障的Pattern | 第52页 |
| ·可检测断线故障的检测Pattern | 第52-53页 |
| ·可检测干扰故障的检测Pattern | 第53-54页 |
| ·可检测擦除效应的干扰故障的检测Pattern | 第53-54页 |
| ·可检测编程效应的干扰故障的检测Pattern | 第54页 |
| ·串联电阻故障检测Pattern | 第54-55页 |
| ·氧化层陷阱故障检测Pattern | 第55页 |
| ·污染故障检测Pattern | 第55页 |
| ·泄漏电流和SILC 故障检测Pattern | 第55-56页 |
| ·MLC NAND Flash 故障检测Pattern 汇总 | 第56页 |
| ·MLC NAND Flash 故障检测Pattern 合并与简化 | 第56-58页 |
| 第六章 MLC NAND Flash 故障检测Pattern 验证 | 第58-69页 |
| ·测试平台简介 | 第58-59页 |
| ·测试Pattern 的验证方案 | 第59-61页 |
| ·待测Flash 的选定 | 第59-60页 |
| ·测试步骤 | 第60-61页 |
| ·测试结果——坏块数量 | 第61页 |
| ·基于故障类型探测Pattern，研究故障发生几率 | 第61-63页 |
| ·验证故障检测Pattern 的实际检测效果 | 第63-65页 |
| ·方案1 的检测Pattern 的测试结果分析 | 第63-64页 |
| ·方案2 的检测Pattern 的测试结果分析 | 第64页 |
| ·方案3 的检测Pattern 的测试结果分析 | 第64-65页 |
| ·分析Program-Erase 循环次数对干扰故障的影响 | 第65-66页 |
| ·估算故障检测Pattern 检测成本 | 第66-68页 |
| ·故障检测Pattern 的检测效率评估 | 第68-69页 |
| 第七章 结论 | 第69-70页 |
| ·主要结论 | 第69页 |
| ·研究展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 附录1：Stuck-at 故障类型探测流程图 | 第73-74页 |
| 附录2：桥接故障类型探测流程图 | 第74-75页 |
| 附录3：编程效应的干扰故障类型探测流程图 | 第75-76页 |
| 附录4：擦除效应的干扰故障类型探测流程图 | 第76-77页 |
| 附录5：串联电阻故障类型探测流程图 | 第77-78页 |
| 附录6：受主型氧化层陷阱故障类型探测流程图 | 第78-79页 |
| 附录7：施主型氧化层陷阱故障类型探测流程图 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第80页 |
