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RF CMOS工艺中可变电容的特性研究及建模

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第5-8页
   ·CMOS射频集成电路的出现与发展第5-7页
   ·可变电容在射频集成电路中的地位第7页
   ·所选课题的目的和意义第7页
   ·本文的主要内容第7-8页
第二章 可变电容的制造工艺及其应用第8-14页
   ·集成电路的制造工艺第8-10页
   ·新型工艺制造的可变电容应用第10-12页
   ·亚微米CMOS混合信号工艺简介第12-14页
第三章 CMOS工艺中可变电容的工作原理第14-22页
   ·二极管可变电容第14-15页
   ·二端口MOS可变电容第15-19页
     ·标准MOS可变电容第15-17页
     ·反型型可变电容第17-18页
     ·积累型可变电容第18-19页
   ·三端口MOS可变电容—栅漏极控制可变电容第19-22页
第四章 可变电容的设计考虑与测试结果分析第22-45页
   ·可变电容的设计考虑第22-25页
     ·结构设计考虑第22-23页
     ·测试考虑第23-25页
   ·测试设备与方法第25-30页
   ·可变电容的测试结果分析第30-42页
     ·标准NMOS的AC特性测试与结果分析第31-33页
     ·二极管可变电容的RF测试结果分析第33-35页
     ·二端口MOS可变电容测试结果分析第35-42页
   ·三端口MOS可变电容特性测试分析第42-45页
第五章 可变电容的建模第45-55页
   ·半导体器件模型化的重要性及流程第45-47页
   ·可变电容的低频CV特性建模第47-50页
   ·可变电容的RF特性建模第50-55页
结束语第55-56页
参考文献第56-57页
致谢第57-58页

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