RF CMOS工艺中可变电容的特性研究及建模
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第5-8页 |
| ·CMOS射频集成电路的出现与发展 | 第5-7页 |
| ·可变电容在射频集成电路中的地位 | 第7页 |
| ·所选课题的目的和意义 | 第7页 |
| ·本文的主要内容 | 第7-8页 |
| 第二章 可变电容的制造工艺及其应用 | 第8-14页 |
| ·集成电路的制造工艺 | 第8-10页 |
| ·新型工艺制造的可变电容应用 | 第10-12页 |
| ·亚微米CMOS混合信号工艺简介 | 第12-14页 |
| 第三章 CMOS工艺中可变电容的工作原理 | 第14-22页 |
| ·二极管可变电容 | 第14-15页 |
| ·二端口MOS可变电容 | 第15-19页 |
| ·标准MOS可变电容 | 第15-17页 |
| ·反型型可变电容 | 第17-18页 |
| ·积累型可变电容 | 第18-19页 |
| ·三端口MOS可变电容—栅漏极控制可变电容 | 第19-22页 |
| 第四章 可变电容的设计考虑与测试结果分析 | 第22-45页 |
| ·可变电容的设计考虑 | 第22-25页 |
| ·结构设计考虑 | 第22-23页 |
| ·测试考虑 | 第23-25页 |
| ·测试设备与方法 | 第25-30页 |
| ·可变电容的测试结果分析 | 第30-42页 |
| ·标准NMOS的AC特性测试与结果分析 | 第31-33页 |
| ·二极管可变电容的RF测试结果分析 | 第33-35页 |
| ·二端口MOS可变电容测试结果分析 | 第35-42页 |
| ·三端口MOS可变电容特性测试分析 | 第42-45页 |
| 第五章 可变电容的建模 | 第45-55页 |
| ·半导体器件模型化的重要性及流程 | 第45-47页 |
| ·可变电容的低频CV特性建模 | 第47-50页 |
| ·可变电容的RF特性建模 | 第50-55页 |
| 结束语 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |