| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·研究背景 | 第11-17页 |
| ·纳米结构与半导体纳米器件 | 第11-12页 |
| ·噪声的两面性 | 第12-17页 |
| ·论文的主要内容 | 第17-21页 |
| ·论文特色 | 第17-18页 |
| ·章节安排 | 第18-21页 |
| 第二章 半导体纳米器件中的噪声 | 第21-41页 |
| ·半导体纳米器件中的热噪声 | 第21-23页 |
| ·热噪声的基本特性 | 第21-22页 |
| ·热噪声模型 | 第22-23页 |
| ·半导体纳米器件中的低频噪声 | 第23-29页 |
| ·低频噪声的表现形式 | 第23-26页 |
| ·低频噪声模型 | 第26-29页 |
| ·半导体纳米器件中的散粒噪声 | 第29-38页 |
| ·散粒噪声的基本特性 | 第29-30页 |
| ·散粒噪声模型 | 第30-38页 |
| ·小结 | 第38-41页 |
| 第三章 量子点接触的噪声模型与相关特性分析 | 第41-57页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·基于兰道尔公式的噪声模型与QPC传感器的本征灵敏度分析 | 第43-49页 |
| ·基本模型 | 第43-45页 |
| ·温度对噪声的影响 | 第45-46页 |
| ·QPC传感器的本征灵敏度分析 | 第46-49页 |
| ·基于非平衡格林函数的噪声模型与噪声特性分析 | 第49-55页 |
| ·非平衡格林函数方法的特点 | 第49-50页 |
| ·基本模型 | 第50-52页 |
| ·QPC的噪声特性分析 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第四章 自旋晶体管中散粒噪声与自旋极化的关系 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·基于自旋分辨散射矩阵的散粒噪声模型 | 第58-60页 |
| ·自旋晶体管中自旋极化的表征方法 | 第60-61页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第61-66页 |
| ·单通道的解析结果与讨论 | 第61-62页 |
| ·多通道的数值模拟结果与讨论 | 第62-66页 |
| ·小结 | 第66-69页 |
| 第五章 高k栅栈MOSFETs的低频噪声模型及其应用 | 第69-85页 |
| ·引言 | 第69-72页 |
| ·基本模型 | 第72-74页 |
| ·改进的低频噪声模型 | 第74-78页 |
| ·高k栅栈结构中的陷阱分布 | 第74-75页 |
| ·基于缺陷分布的分层低频噪声模型 | 第75-78页 |
| ·低频噪声模型的应用 | 第78-83页 |
| ·基于改进低频噪声模型的定性结论 | 第78-79页 |
| ·基于改进低频噪声模型的定量结果 | 第79-80页 |
| ·基于低频噪声拟合的缺陷表征思路 | 第80-83页 |
| ·小结 | 第83-85页 |
| 第六章 基于FCS理论的逆问题研究 | 第85-101页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·纳米结构中FCS的理论简介与研究进展 | 第86-90页 |
| ·纳米结构中FCS的理论简介 | 第86-87页 |
| ·FCS的理论进展 | 第87-88页 |
| ·FCS的实验进展 | 第88-90页 |
| ·互斥模型理论与计算步骤 | 第90-93页 |
| ·对流互斥理论 | 第90-92页 |
| ·隧穿互斥模型 | 第92-93页 |
| ·Monte Carlo技巧产生两种互斥模型的时间序列 | 第93-96页 |
| ·Monte Carlo模型 | 第93-94页 |
| ·Monte Carlo模型的验证 | 第94-95页 |
| ·两种互斥模型关系的讨论 | 第95-96页 |
| ·互斥模型的逆问题提法—单势垒结构的机理判断与参数识别 | 第96-99页 |
| ·基本原理和步骤 | 第96-98页 |
| ·用Monte Carlo模拟的时间序列进行验证 | 第98-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 第七章 总结 | 第101-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-119页 |
| 研究成果 | 第119-120页 |
