4H-SiC sam-APD结构紫外光电探测器的设计与制备
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 紫外探测器的种类和应用 | 第17-19页 |
| 1.2 雪崩型紫外探测器的国内外研究成果 | 第19-20页 |
| 1.3 4H-SiC材料特性 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的工作和章节结构 | 第22-25页 |
| 第二章 Sam-APD基本结构及原理 | 第25-43页 |
| 2.1 Sam-APD工作原理 | 第25-39页 |
| 2.1.1 Sam-APD结构层间电场分布规律 | 第26-30页 |
| 2.1.2 暗电流成分及影响因素 | 第30-33页 |
| 2.1.3 半导体内部光吸收机制 | 第33-35页 |
| 2.1.4 雪崩光电流的计算 | 第35-37页 |
| 2.1.5 器件窗口及表面反射机理 | 第37-39页 |
| 2.2 APD器件的性能指标 | 第39-42页 |
| 2.2.1 响应度及量子效率 | 第40页 |
| 2.2.2 光增益 | 第40-41页 |
| 2.2.3 探测率及噪声 | 第41-42页 |
| 2.2.4 响应时间 | 第42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 器件设计与仿真 | 第43-59页 |
| 3.1 仿真模型的选取 | 第43-45页 |
| 3.2 边缘终端结构的设计优化 | 第45-56页 |
| 3.2.1 MJTE多台面终端 | 第45-47页 |
| 3.2.2 JTE注入型终端 | 第47-49页 |
| 3.2.3 斜台面终端及击穿电压的控制 | 第49-56页 |
| 3.3 表面窗口形貌对器件性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 实验及测试结果 | 第59-73页 |
| 4.1 器件结构 | 第59-60页 |
| 4.2 器件的制备工艺 | 第60-68页 |
| 4.2.1 标准清洗 | 第63页 |
| 4.2.2 光刻工艺 | 第63-64页 |
| 4.2.3 金属生长及剥离 | 第64页 |
| 4.2.4 ICP刻蚀 | 第64-66页 |
| 4.2.5 P型欧姆接触的形成及快速退火工艺 | 第66-68页 |
| 4.3 测试结果及分析 | 第68-72页 |
| 4.3.1 I-V特性及增益 | 第68-69页 |
| 4.3.2 器件响应度分析 | 第69-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 工作总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
