三维集成电路中硅通孔互连参数提取的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 集成电路发展背景 | 第8-14页 |
| 1.1.1 三维集成技术 | 第9-10页 |
| 1.1.2 互连效应 | 第10-11页 |
| 1.1.3 三维集成互连技术 | 第11-14页 |
| 1.2 集成电路中互连线电参数提取方法 | 第14-15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 高面率比硅通孔参数提取解析式 | 第18-31页 |
| 2.1 圆柱硅通孔建模 | 第18-20页 |
| 2.2 电阻参数提取解析式 | 第20-26页 |
| 2.2.1 公式推导 | 第20-25页 |
| 2.2.2 解析式提取参数结果对比 | 第25-26页 |
| 2.3 电感参数提取解析式 | 第26-29页 |
| 2.3.1 高频下电感公式推导 | 第27-28页 |
| 2.3.2 解析式结果与仿真值比较 | 第28-29页 |
| 2.4 接触电阻对互连线的影响 | 第29-30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 形状不规则硅通孔参数提取解析式 | 第31-50页 |
| 3.1 高面率比梯形硅通孔参数提取解析式 | 第31-44页 |
| 3.1.1 梯形硅通孔建模 | 第31-32页 |
| 3.1.2 电阻参数提取解析式推导 | 第32-38页 |
| 3.1.3 电阻参数解析式计算结果对比 | 第38-39页 |
| 3.1.4 电感参数提取解析式推导 | 第39-43页 |
| 3.1.5 电感参数提取解析式计算结果比对 | 第43-44页 |
| 3.2 硅通孔表面粗糙时电阻参数提取解析式 | 第44-49页 |
| 3.2.1 表面粗糙时硅通孔建模 | 第44-46页 |
| 3.2.2 电阻参数提取解析式 | 第46-49页 |
| 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 实验验证 | 第50-57页 |
| 4.1 电路模型验证 | 第50-53页 |
| 4.1.1 电路模型理论 | 第50-52页 |
| 4.1.2 验证结果 | 第52-53页 |
| 4.2 解析式适用范围验证 | 第53-55页 |
| 4.2.1 已有公式 | 第53-55页 |
| 4.2.2 对比结果 | 第55页 |
| 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
