| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 纳米压电器件的研究背景 | 第11-15页 |
| 1.1.1 材料的压电效应 | 第12-13页 |
| 1.1.2 压电电子学的创立 | 第13-14页 |
| 1.1.3 压电电子学的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.2 纳米压电器件 | 第15-18页 |
| 1.2.1 压电电子学晶体管和传统场效应晶体管的对比 | 第15-16页 |
| 1.2.2 压电电子学晶体管的应用 | 第16-18页 |
| 第二章 GaN的结构特性以及应用 | 第18-22页 |
| 2.1 GaN的结构 | 第18页 |
| 2.2 GaN的特性 | 第18-20页 |
| 2.2.1 GaN的压电特性 | 第19页 |
| 2.2.2 GaN纳米线的特点 | 第19-20页 |
| 2.3 GaN的应用 | 第20-22页 |
| 第三章 GaN压电电子学二极管 | 第22-40页 |
| 3.1 压电电子学效应 | 第22-24页 |
| 3.1.1 压电电子学效应对p-n结的影响 | 第23页 |
| 3.1.2 压电电子学效应对金属-半导体接触的影响 | 第23-24页 |
| 3.2 压电二极管 | 第24-39页 |
| 3.2.1 压电二极管的模型建立 | 第24-30页 |
| 3.2.2 压电二极管的数值模拟 | 第30-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 GaN压电电子学三极管 | 第40-63页 |
| 4.1 三极管的基本原理 | 第40-45页 |
| 4.1.1 三极管的基本电流电压关系 | 第40-42页 |
| 4.1.2 三极管的电流增益 | 第42-44页 |
| 4.1.3 三极管的输出特性 | 第44-45页 |
| 4.2 压电三极管的模型建立 | 第45-47页 |
| 4.3 COMSOL软件仿真模拟 | 第47-55页 |
| 4.4 结果分析 | 第55-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63页 |
| 5.2 展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70页 |