1200V SiC BJT器件仿真及实验研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 SiC材料及器件发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 SiC材料特性 | 第13-15页 |
| 1.4 SiCBJT国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4.1 SiCBJT的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.4.2 SiCBJT的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4.3 SiCBJT目前存在的主要问题 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 SiCBJT工作原理 | 第20-28页 |
| 2.1 SiCBJT基本结构及工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2 SiC功率BJT主要电学参数 | 第22-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SiC功率BJT新结构仿真研究 | 第28-51页 |
| 3.1 钝化工艺对SiC功率器件特性的影响 | 第28-33页 |
| 3.2 高电流增益新型钝化结构 | 第33-39页 |
| 3.2.1 外基区异质结钝化结构 | 第33-36页 |
| 3.2.2 外基区P+钝化结构 | 第36-39页 |
| 3.3 SiCBJT新型终端结构 | 第39-50页 |
| 3.3.1 功率器件终端技术 | 第39-43页 |
| 3.3.2 注入刻蚀型JTE | 第43-48页 |
| 3.3.3 场板辅助型JTE | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 1200V SiC BJT实验研究 | 第51-71页 |
| 4.1 1200V SiC BJT工艺流程 | 第51-52页 |
| 4.2 工艺开发与优化 | 第52-64页 |
| 4.2.1 4H-SiCICP刻蚀工艺 | 第52-54页 |
| 4.2.2 SiCBJT离子注入工艺 | 第54-55页 |
| 4.2.3 SiCBJT欧姆接触工艺 | 第55-58页 |
| 4.2.4 SiCBJT钝化工艺 | 第58-63页 |
| 4.2.4.1 SiCBJT钝化技术发展现状 | 第58-60页 |
| 4.2.4.2 1200 VSiCBJT钝化实验 | 第60-63页 |
| 4.2.5 Pad金属工艺 | 第63-64页 |
| 4.3 1200V SiCB JT测试与分析 | 第64-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78页 |
