| 论文摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第12-19页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料外延生长 | 第19-28页 |
| 1.3 本论文的选题依据和工作安排 | 第28-29页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物分子束外延生长及分析测试技术 | 第29-46页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第29-33页 |
| 2.2 原位监测技术 | 第33-37页 |
| 2.3 Ⅲ族氮化物材料表征技术 | 第37-46页 |
| 第三章 InGaN基纳米杆发光二极管物性研究 | 第46-82页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 InGaN的生长机制 | 第47-51页 |
| 3.3 InGaN的性质 | 第51-57页 |
| 3.4 Vegard定理 | 第57-59页 |
| 3.5 In的偏析和压电极化 | 第59-61页 |
| 3.6 一维InGaN纳米材料及其应用 | 第61-72页 |
| 3.7 GaN基发光二极管的物性研究 | 第72-82页 |
| 第四章 蓝宝石上生长InGaN纳米杆阵列的监控与生长机制研究 | 第82-93页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 实时原位监控生长InGaN纳米杆阵列 | 第83-92页 |
| 4.3 本章小结 | 第92-93页 |
| 第五章 Si衬底上制备InGaN纳米杆阵列及其二极管特性研究 | 第93-103页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 Si上InGaN纳米杆阵列的制备及其二极管特性研究 | 第93-102页 |
| 5.3 本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 全文总结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-121页 |
| 攻读博士学位期间发表文章 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
