聚合物薄膜晶体管的性能优化及应力效应分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·有机晶体管的研究进展及现状 | 第11页 |
| ·有机薄膜晶体管 | 第11-16页 |
| ·有机薄膜晶体管的基本结构 | 第12-13页 |
| ·有机薄膜晶体管的有源层材料 | 第13-14页 |
| ·有机薄膜晶体管的栅绝缘材料 | 第14-15页 |
| ·有机薄膜晶体管的电极材料和衬底材料 | 第15-16页 |
| ·有机场效应晶体管目前存在的问题 | 第16页 |
| ·本文的主要内容 | 第16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 聚合物薄膜晶体管相关基础知识 | 第17-31页 |
| ·聚合物薄膜晶体管的工作机理 | 第17-20页 |
| ·P3HT-PTFT 的主要制备技术 | 第20-26页 |
| ·高纯水的制备技术 | 第20-22页 |
| ·热氧化SiO_2 的制备技术 | 第22-23页 |
| ·电极的制备技术 | 第23页 |
| ·P3HT 有源层的制备技术 | 第23-24页 |
| ·高K 栅介质HfO_2 的制备技术 | 第24-26页 |
| ·P3HT-PTFT 的测试技术 | 第26-30页 |
| ·电学性能测试技术 | 第26-28页 |
| ·薄膜结构及表面形貌测试技术 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 聚合物薄膜晶体管栅介质表面修饰 | 第31-43页 |
| ·栅介质层表面修饰技术 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31-36页 |
| ·衬底清洗 | 第33页 |
| ·热氧化 | 第33页 |
| ·去除背面氧化层 | 第33-34页 |
| ·旋涂甩膜 | 第34页 |
| ·溶液的配置 | 第34页 |
| ·旋涂甩膜 | 第34页 |
| ·蒸镀电极 | 第34-35页 |
| ·制作保护层 | 第35-36页 |
| ·器件性能分析 | 第36-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 高K 栅介质聚合物薄膜晶体管 | 第43-54页 |
| ·高K 栅介质HfO_2 | 第43-44页 |
| ·实验过程 | 第44-47页 |
| ·高K 栅介质HfO_2 薄膜的分析 | 第47-50页 |
| ·HfO_2 薄膜的XPS 分析 | 第47-49页 |
| ·HfO_2 栅介质的介电能力分析 | 第49-50页 |
| ·器件性能分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 聚合物薄膜晶体管的应力效应分析 | 第54-66页 |
| ·应力测试技术 | 第54-55页 |
| ·栅应力效应分析 | 第55-59页 |
| ·漏应力分析 | 第59-62页 |
| ·栅漏混合应力分析 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附件 | 第71页 |
